セレン整流器のわが国における発達過程と現在の諸問題
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本材料学会の論文
- 1956-08-15
著者
関連論文
- 3F7 酸化亜鉛の機械的研磨層の整流特性
- 9a-M-9 シリコンの赤外線吸収
- 16C20. 亜酸化銅整流器の堰層部に於ける表面電位について
- セレン整流板の堰層について
- セレン整流板の堰層について
- 17G-5 接合型トランジスタの負性抵抗及び発振 II
- 9p-M-4 P.E.M法によるSiのlife timeの測定(II)
- P.E.M.によるSiのlife timeの測定 : XX. 半導体
- 10A15 Ge表面の電気特性について
- セレン整流器のわが国における発達過程と現在の諸問題
- 3F17 セレン整流器のCd Se の振舞
- 29C10 Ge整流器の正孔注入の大きい場合の微少交流特性(29C 半導体)