16C20. 亜酸化銅整流器の堰層部に於ける表面電位について

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1953-10-15

著者

• 山口 次郎

  大阪大学工学部

• 宮内 武

  大阪府大工短

• 山口 次郎

  阪大工学部

• 北村 雅義

  大阪大学工学部

• 宮内 武

  大阪大学工学部

• 北村 雅義

  阪大工

関連論文

• 3F7 酸化亜鉛の機械的研磨層の整流特性
• 9a-M-9 シリコンの赤外線吸収
• 16C20. 亜酸化銅整流器の堰層部に於ける表面電位について
• セレン整流板の堰層について
• セレン整流板の堰層について
• 20L-22 Geのslow state
• 19F-13 ゲルマニウムの表面状態の考察
• 17G-5 接合型トランジスタの負性抵抗及び発振 II
• 9p-M-4 P.E.M法によるSiのlife timeの測定(II)
• P.E.M.によるSiのlife timeの測定 : XX. 半導体
• 10A15 Ge表面の電気特性について
• セレン整流器のわが国における発達過程と現在の諸問題
• 3F17 セレン整流器のCd Se の振舞
• 30.I.7 酸化亜鉛整流器(半導体)
• 29C10 Ge整流器の正孔注入の大きい場合の微少交流特性(29C 半導体)
• 30.I.6 単結晶酸化銅整流器の逆方向特性(半導体)
• 30.I.3 有機薄膜を堰層とするセレン整流器の靜電容量特性(半導体)
• 30.I.4 有機薄膜を堰層とするセレン整流器靜特性(半導体)
• 30.I.5 単結晶酸化銅整流器の正方向特性(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク