Edge Leakageの除去によるプラナ・ショットキ・ダイオードの逆特性改善 : 半導体 (表面)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 藤原 昌平

  松下電子研

• 沢木 司

  松下電子研

• 飯塚 睦郎

  松下電子研

• 加納 剛太

  松下電子研

• 長谷川 弘正

  松下電子研

関連論文

• Mo-Siショットキ障壁の威圧効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
• Edge Leakageの除去によるプラナ・ショットキ・ダイオードの逆特性改善 : 半導体 (表面)
• SMS-メタル・ベース・トランジスタ : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
• CdS蒸着膜の熱処理効果

スポンサーリンク