MOSデバイスにおけるSi-SiO_2界面状態と1/f雑音 (III) : 半導体 (表面)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 中原 正人

  富士通第二半導体技術部

• 小林 郁朗

  富士通第二半導体技術部

• 安武 和芳

  富士通第二半導体技術部

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