MOSデバイスにおけるSi-SiO_2界面状態と1/f雑音 (III) : 半導体 (表面)

元データ 1969-03-30 社団法人日本物理学会

著者

中原 正人 富士通第二半導体技術部
小林 郁朗 富士通第二半導体技術部
安武 和芳 富士通第二半導体技術部

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