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中原 正人 | 富士通第二半導体技術部
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富士通第二半導体技術部の論文著者
関連著者
中原 正人
富士通第二半導体技術部
小林 郁朗
富士通第二半導体技術部
安武 和芳
富士通第二半導体技術部
著作論文
MOSデバイスにおけるSi-SiO_2界面状態と1/f雑音 (III) : 半導体 (表面)
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