高抵抗GaAsの電気的性質 (I) : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 井上 哲朗

  東芝総研

• 井上 哲朗

  東芝中研

• 大山 昌伸

  東芝中研

関連論文

• 4a-N-5 高比抵抗Cv-doped GaAsの混合伝導特性
• 16p-A-13 Cr-doped GaAsにおける電流振動現象(II)
• 高抵抗GaAsの電気的性質 (I) : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
• NiO系の電気的性質 (I) : 半導体
• 13p-A-1 Cd_3As_2の半導体特性
• 13p-K-4 合成組織変化I(Bi-Sb,Sb-As)
• 4a-G-5 Sb_As_x系の熱伝導率(II)
• N. A. Goryuvova: The Chemistry of Diamondlike Semiconductors ed. J.C. Anderson, MIT Press, 1965, 236頁, 14×22cm, 3,600円.
• Sb_Ass_x合金系の熱伝導度 : 半導体(半金属)
• Sb-As系合金の半導体的性質(1) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• Bi-Sb系合金の横磁気抵抗効果(III) : 半導体(炭素ビスマス)
• Bi-Sb系合金の電気的性質(II)(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 8a-A-4 Bi-Sb合金の電気的性質

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク