13p-A-1 Cd_3As_2の半導体特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1961-10-09
著者
関連論文
- 高抵抗GaAsの電気的性質 (I) : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
- NiO系の電気的性質 (I) : 半導体
- 13p-A-1 Cd_3As_2の半導体特性
- 13p-K-4 合成組織変化I(Bi-Sb,Sb-As)
- 4a-G-5 Sb_As_x系の熱伝導率(II)
- N. A. Goryuvova: The Chemistry of Diamondlike Semiconductors ed. J.C. Anderson, MIT Press, 1965, 236頁, 14×22cm, 3,600円.
- Sb_Ass_x合金系の熱伝導度 : 半導体(半金属)
- Sb-As系合金の半導体的性質(1) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- Bi-Sb系合金の横磁気抵抗効果(III) : 半導体(炭素ビスマス)
- Bi-Sb系合金の電気的性質(II)(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
- 8a-A-4 Bi-Sb合金の電気的性質