三元化合物A_2^IB^<IV>C_3^<VI>, A^IB^VC_2^<VI>, A_3^IB^VC_4^<VI> (A^I=Cu; B^<IV>=Ge, Sn; B^V=Sb; C^<VI>=S, Se, Te) の熱電特性 : 半導体(化合物半導体)
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概要
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- 1966-03-31
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