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入江 泰三 | 富士電機中研
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入江 泰三
富士電機製造中央研究所
入江 泰三
富士電機中研
著作論文
三元化合物A_2^IB^C_3^, A^IB^VC_2^, A_3^IB^VC_4^ (A^I=Cu; B^=Ge, Sn; B^V=Sb; C^=S, Se, Te) の熱電特性 : 半導体(化合物半導体)
AgSbTe_2荷対する不純物の影響(I) : 半導体
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