半導体のピエゾ抵抗効果V : 半導体(Device(応力効果, その他)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-03-31
著者
関連論文
- 感圧トランジスタによる機械・電気変換素子
- 6-10 家庭用VTRを利用した簡易画像ファイル
- 18p-A-17 S-doped GaSbの電気抵抗の圧力効果
- A. S. E.(Anisotropic Stress Effect)の諸問題 : pn接合の応力効果シンポジウム
- 18p-A-19 接合の応力効果 IV : 深い準位
- Stress Dependence of Minority Carrier Lifetime : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- 12a-K-17 Si p-n接合の応力効果II(非出払)
- 3a-G-4 Si p-n接合の応力効果
- Ge p-n接合の応力効果 : 半導体 : ダイオード,不安定
- 半導体のピエゾ抵抗効果V : 半導体(Device(応力効果, その他)
- 6a-F-8 半導体のピエゾ抵抗効果 II
- 半導体のピエゾ抵抗効果 I : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- Geホール素子II : 応用半導体
- 家庭用MUSE方式VTRメカの開発
- 小型カセットハイビジョンVTRのメカニズムの開発