4a-H-6 横磁場中のn-InSbMOS面に沿う非可逆表面電荷波
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-04-02
著者
関連論文
- 4p-K-3 Ag-CdCr_2Se_4(In doped)junctionの磁場効果
- 1)1978年SID国際シンポジウム(画像表示研究会(第33回))
- 1978年SID国際シンポジウム
- 弾性表面波遅延素子を用いたFM復調器(技術談話室)
- 30a-N-8 n型CdCr_2S_4の表面高抵抗層とその磁場効果
- 3p-TC-12 CdCr_2Se_4のP-N接合のMagnetocapacitance効果
- 15a-A-3 FMR条件下の強磁性半導体の輸送現象
- Surface Charge WaveのParametric増巾 : 半導体(不安定性)
- n-InSbのMOS面に沿うSurface Charge Waveの非線型効果 : 半導体(不安定性)
- 4a-H-6 横磁場中のn-InSbMOS面に沿う非可逆表面電荷波
- Transverse Break DownによるGrowing Microwave Instability : 半導体 : 理論と不安定性
- GENERATION RATEの変化によるINSTABILITY : 半導体 : 理論と不安定性
- 9p-F-9 ホール電場による電子加熱とtransverse break down
- 横磁場中の固体プラズマ導波管内のマイクロ波伝播(実験) : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
- n-InSb中のプラズマ密度波姿態と電圧振動の関係(半導体(プラズマ))
- 5p-A-5 固体プラズマの密度と分布に関する直接測定