3p-TC-12 CdCr_2Se_4のP-N接合のMagnetocapacitance効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1970-04-01

著者

• 戸田 実

  Rca基礎研究所

関連論文

• 4p-K-3 Ag-CdCr_2Se_4(In doped)junctionの磁場効果
• 1)1978年SID国際シンポジウム(画像表示研究会(第33回))
• 1978年SID国際シンポジウム
• 弾性表面波遅延素子を用いたFM復調器(技術談話室)
• 30a-N-8 n型CdCr_2S_4の表面高抵抗層とその磁場効果
• 3p-TC-12 CdCr_2Se_4のP-N接合のMagnetocapacitance効果
• 15a-A-3 FMR条件下の強磁性半導体の輸送現象
• Surface Charge WaveのParametric増巾 : 半導体(不安定性)
• n-InSbのMOS面に沿うSurface Charge Waveの非線型効果 : 半導体(不安定性)
• 4a-H-6 横磁場中のn-InSbMOS面に沿う非可逆表面電荷波
• Transverse Break DownによるGrowing Microwave Instability : 半導体 : 理論と不安定性
• GENERATION RATEの変化によるINSTABILITY : 半導体 : 理論と不安定性
• 9p-F-9 ホール電場による電子加熱とtransverse break down
• 横磁場中の固体プラズマ導波管内のマイクロ波伝播(実験) : 半導体(ホット・エレクトロン, プラズマ)
• n-InSb中のプラズマ密度波姿態と電圧振動の関係(半導体(プラズマ))
• 5p-A-5 固体プラズマの密度と分布に関する直接測定

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク