3p-H-8 CdSの電流飽和に伴う雑音
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-04-01
著者
関連論文
- ノクトビジョンによるシリコン内部構造の観測 : XX. 半導体
- 3p-H-8 CdSの電流飽和に伴う雑音
- 14p-K-9 CdSの第二の電流飽和
- 硫化カドミウムの緑色発光 : 光物性
- CdSの第二の電流飽和における誘起雑音 : 半導体(不安定性)
- Siダイオードからのμ波発振における圧力効果 : 半導体 : 不安定,輸送
- 6p-L-6 CdSのnative defectによる光電導
- ZnS:Cu,Alの赤外光電導 : ELシンポジウム
- 硫化亜鉛単結晶の融剤からの成長 : 光物性
- Siのradiative carrierのlife time : 半導体
- シリコンP-N接合からの近赤外発光 II : 半導体
- 3p-L-6 シリコンP-N接合からの近赤外発光