3p-L-3 シリコンにおけるガリウムの異常拡散
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1967-04-02
著者
関連論文
- 電力用静電誘導形サイリスタ (新段階に入った電力用半導体デバイス)
- 3p-L-3 シリコンにおけるガリウムの異常拡散
- SiへのGa, As同時拡散におけるGa拡散の遅れ : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- GaAs同時拡散における異常現象 : 半導体 : 気相成長
- 7a-L-12 シリコンpin接合の破壊電圧
- 7a-L-9 拡散型Si p-n接合中のトラップ
- 半導体素子の現状と将来 (モ-タドライブエレクトロニクスの現状と将来)
- p-i-nダイオードの正方向特性 : 半導体(ダイオード)
- 5a-A-4 Si pin diodeのavalanche ionization
- 水素気流中でalloyingを行ったGe-disdeの特性 : XX. 半導体