小川 卓三 | 日立日立研
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概要
関連著者
著作論文
- 3p-L-3 シリコンにおけるガリウムの異常拡散
- SiへのGa, As同時拡散におけるGa拡散の遅れ : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- GaAs同時拡散における異常現象 : 半導体 : 気相成長
- 7a-L-12 シリコンpin接合の破壊電圧
- 7a-L-9 拡散型Si p-n接合中のトラップ
- p-i-nダイオードの正方向特性 : 半導体(ダイオード)
- 5a-A-4 Si pin diodeのavalanche ionization
- 水素気流中でalloyingを行ったGe-disdeの特性 : XX. 半導体