8a-A-6 BiTeIの結晶構造及び熱電的性質
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
11a-P-8 セレン酸アンモニウムの相転移と誘電的性質
-
In_2Se_3の異常移動度 : 半導体(化合物半導体)
-
BiTeI及びBiSeIの熱電的性質(半導体(化合物))
-
W-カルコゲナイドの熱電的性質(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
-
1p-H-14 KMnF_3構造相転移の臨界指数
-
3a GG-8 KMnF_3の格子定数の温度依存性
-
4p-DQ-1 Si格子定数の温度依存性の異常
-
3a-P-4 Si格子定数の温度依存性
-
31p-H-2 KMnF_3の186K-構造相転移の前駆現象
-
3a-AD-5 高角度2結晶X線回折計の改良 II
-
11a-K-2 KMnF_3の格子定数
-
11a-K-1 KMnF_3の中性子回折
-
WTe_2の電気的性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
-
7a-G-5 Cd単結晶の電流磁気効果
-
Bi_Te_1I_1Cu_xの熱電気的性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
-
5a-F-2 BiTeIの熱電的性質に及ぼすAg-dopeの効果
-
8a-A-6 BiTeIの結晶構造及び熱電的性質
-
3a-M-11 KMF_3 (M=Ni, Co) の格子定数の温度依存性
-
私立文系大学の物理教育II
-
1p-TJ-6 X線波長変化法によるAl_xGa_As多層膜の評価
-
4a-W-5 広角度域型モノクロメータの製作とAlGaAs多層膜への応用
-
10p-J-8 2結晶法回折計の改良
-
6a-L-12 Sn-Te系の状態図
-
13a-A-9 テルル化錫の電子構造
-
3a-AD-4 高角度2結晶X線回折計の改良 I
-
物理測定技術 第4巻 電気的測定, 朝倉書店, 1966, 358頁, 1,800円.
-
3a-A-9 私立文系大学の物理教育(3aA 物理教育,物理教育)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク