物理測定技術 第4巻 電気的測定, 朝倉書店, 1966, 358頁, 1,800円.

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1967-04-05

著者

• 岡田 利弘

  東工大応物

関連論文

• In_2Se_3の異常移動度 : 半導体(化合物半導体)
• BiTeI及びBiSeIの熱電的性質(半導体(化合物))
• W-カルコゲナイドの熱電的性質(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• WTe_2の電気的性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• 7a-G-5 Cd単結晶の電流磁気効果
• Bi_Te_1I_1Cu_xの熱電気的性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• 5a-F-2 BiTeIの熱電的性質に及ぼすAg-dopeの効果
• 8a-A-6 BiTeIの結晶構造及び熱電的性質
• 物理測定技術 第4巻 電気的測定, 朝倉書店, 1966, 358頁, 1,800円.

スポンサーリンク