4p-H-5 ルビーメーザーの材料

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1962-04-04

著者

• 米満 博夫

  東芝中研

• 丸山 哲夫

  日本原子力事業綜合研

• 大友 元春

  東芝中研

• 星野 寛

  東芝中研

関連論文

• 銅被覆超電導線の特性 : 低温
• 超電導線試験装置の試作 : 磁性(超伝導)
• Sn-doped Geの低温での特異な伝導現象(半導体(不純物伝導))
• VacancyとCuを含んだGeの低温V-I特性 (I) : 半導体
• 4p-H-5 ルビーメーザーの材料
• 4a-L-12 低温におけるGeのbreakdown的特性(II)
• 5p-F-6 NをドープしたSiCの電気的性質とESR
• Mg_2Sn:Mn系のESR及び電気抵抗 : 磁性(化合物)
• 15a-K-10 n-GaAsの電流発振に及ぼすinhomogeneityの影響
• GaAs Bulk Oscillator の発振特性 : 半導体 : ダイオード,不安定

スポンサーリンク