15a-K-10 n-GaAsの電流発振に及ぼすinhomogeneityの影響

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1967-10-14

著者

• 大友 元春

  東芝中研

関連論文

• 4p-H-5 ルビーメーザーの材料
• 5p-F-6 NをドープしたSiCの電気的性質とESR
• Mg_2Sn:Mn系のESR及び電気抵抗 : 磁性(化合物)
• 15a-K-10 n-GaAsの電流発振に及ぼすinhomogeneityの影響
• GaAs Bulk Oscillator の発振特性 : 半導体 : ダイオード,不安定

スポンサーリンク