12a-P-4 酸化物陰極の電子顕微鏡による研究(III)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1959-10-08

著者

• 今井 哲二

  電気通信研究所

• 広田 昭一

  電気通信研究所

• 今井 哲二

  電電公社 電気通信研究所

関連論文

• Geエサキダイオードに対する一軸方向圧力効果(半導体(p-n接合))
• 12a-P-4 酸化物陰極の電子顕微鏡による研究(III)
• 10a-P-6 MgO被膜の冷電子放射と発光現象
• 9B1 黒化した(Ba・Sr・Ca)Oの二・三の性質
• 19K-3 冷陰極放電管用酸化物陰極 : イオン衝撃による黒化
• 5F7 BaO 蒸着膜の電子衝〓効果(2)
• 17C16. BaO蒸着膜の電子衝撃効果(1)
• GePN接合の一軸性応力効果 : pn接合の応力効果シンポジウム
• ミリメートル波帯中継器用半導体素子

スポンサーリンク