5F7 BaO 蒸着膜の電子衝〓効果(2)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1954-11-02
著者
関連論文
- Geエサキダイオードに対する一軸方向圧力効果(半導体(p-n接合))
- 12a-P-4 酸化物陰極の電子顕微鏡による研究(III)
- 10a-P-6 MgO被膜の冷電子放射と発光現象
- 9B1 黒化した(Ba・Sr・Ca)Oの二・三の性質
- 19K-3 冷陰極放電管用酸化物陰極 : イオン衝撃による黒化
- 5F7 BaO 蒸着膜の電子衝〓効果(2)
- 17C16. BaO蒸着膜の電子衝撃効果(1)
- GePN接合の一軸性応力効果 : pn接合の応力効果シンポジウム
- ミリメートル波帯中継器用半導体素子
- ニツケル蒸着膜の抗磁力 : 磁性(薄膜と微粒子)