30p-PSA-66 部分占有率を用いた第一原理MD法によるSiの高圧相の研究

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• 能勢 修一

  慶大理工

• 森下 徹也

  産総研ナノシステム

• 田代 順一

  慶大理工

• 森下 徹也

  慶大理工

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