31a-G-1 Ionisation-Aided Defect Creation in II-VI Crystals by Ion-Channelling
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-03-30
著者
-
Thompson M.
University Of Melbourne
-
田口 常正
阪大工
-
Palmer D.
University Of Sussex Physics Department
-
Thompson M.
University Of Sussex Physics Department
関連論文
- 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
- 29a-A-4 Photo-disintegration of ^Si to Excited Residual States
- 5a-YB-7 ZnSeのextended defectからの発光線
- 12a-R-6 ZnTe:O及びZnCdTe:Oの束縛励起子
- 31a-G-1 Ionisation-Aided Defect Creation in II-VI Crystals by Ion-Channelling
- 31p-BG-11 ZnS/ZeTe系超格子の積層状態(31p BG 表面・界面)
- 28p-K-4 ZnSe-ZnS歪み超格子中の励起子の非線形吸収(28pK イオン結晶・光物性(励起状態のカイネティクス・非線形現象))