29p-h-4 Si(100)ドメイン転換のシミュレーション

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-03-16

著者

• 川村 隆明

  山梨大教育:山梨大院医工

• 川村 隆明

  新技団日英共同研究プロジェクト : 山梨大教育

• Wilby M.R.

  新技団日英共同研究プロジェクト

• Wilby M.r.

  新技団日英共同研究プロジェクト :

関連論文

• 28p-PSB-26 Ge(111) 結晶成長の動画による解析
• 29p-PSB-18 Ge/Ge(111)結晶成長シミュレーションII
• 21aWH-10 2つのナノ構造島成長過程のシミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29a-WB-6 Si(001)ホモエピタクシャル成長機構のシミュレーションによる解析
• 30p-H-5 Si(100)表面上における線欠陥近傍のダイマー間相関関数
• 29p-h-4 Si(100)ドメイン転換のシミュレーション
• 28a-ZS-7 Si(100)表面上の電流効果シミュレーション

スポンサーリンク