31a-Q-9 アンチドット格子における磁気抵抗構造の起源
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-03-10
著者
関連論文
- 2p-F-17 高圧力下のInPのフォトルミネッセンス
- 31p-CA-9 GaAs-MOS 及び Shottky 構造におけるルミネッセンス再吸着効果
- 31a-BH-7 CdSe-MOS 構造におけるルミネッセンス再吸収効果
- 24aXL-8 GaAs量子井戸におけるフォトルミネッセンスの電場依存性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14pYB-5 n-GaAs における電流密度フィラメントの PL 発光強度異常増強現象と束縛励起子 (D^0, X) の部分オージェー再結合過程(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 23aTH-10 n-GaAs におけるパルス電場下フォトルミネッセンスの発光パターンと発光強度増強現象
- 19pYJ-9 n-GaAsにおいて中性ドナーの衝突電離過程に伴うPL発光強度の異常増強
- 19pYJ-8 n-GaAsにおける束縛励起子(D^+,X)のパルス電場下インパクト形成
- 29pYS-4 GaAs系バリスティック伝導における古典カオス挙動
- 30aTB-6 n-GaAsにおいて浅い不純物ドナーの衝突電離過程が引き起こすチューリング分岐
- 29pYS-4 GaAs系バリスティック伝導における古典カオス挙動
- 22aL-7 コルビノ電極を形成したGaAsにおける電流フィラメントの初期パターン形成
- 25pD-10 高電場下AlGaAs/GaAs界面の二次元電子ガスからの発光II
- 31a-ZF-5 高電場下AlGaAs/GaAs界面の二次元電子ガスからの発光
- 31a-ZF-4 GaAsにおける電流フィラメントのダイナミックIII
- 26a-YE-9 GaAsにおける電流フィラメントのダイナミックスII
- 26a-YE-8 衝突電離によって誘起された電流フィラメントの磁気抵抗効果
- 31a-Q-9 アンチドット格子における磁気抵抗構造の起源
- 2a-YJ-8 n-GaAsにおける電流フィラメントの緩和過程
- 2a-YJ-7 GaAsにおける電流フィラメントのダイナミックスI
- 31a-Q-9 アンチドット格子における磁気抵抗構造の起源
- 5p-A-4 GaAs中電流フィラメントのパターン形成と不安定IV
- 31a-S-3 GaAs 中電流フィラメントのパターン形成と不安定性III
- 31a-S-2 アンチドットLSSLの磁気抵抗ピークとビリヤード散乱過程
- アンチドットLSSLの磁気抵抗効果III
- 1p-F-9 GaAs中電流フィラメントのパターン形成と不安定性I
- 30p-X-9 アンチドットLSSLの磁気抵抗効果II
- 14a-K-3 衝突電離カオスにおける フラクタル・ベイスン境界 I
- 29a-PS-39 ダイオードを用いた結合電気回路のカオスとスイッチング現象
- 30a-M-7 Scholl モデルによる中性不純物衝突電離カオスの考察
- 27p-PS-96 半導体のS字形I-V特性における間欠的カオスのエネルギー散逸
- 27a-W-5 GaAsにおける衝突電離アバランシェのself-organized critical state II
- 27a-W-4 GaAsにおける衝突電離アバランシェのself-organized critical state I
- 28a-T-5 半導体のS字形電流・電圧特性における駆動カオス : 実験からの側面
- 30a-C-13 GaAsにおける磁場中衝突電離過程とカオス : そのフラクタル構造
- 30a-C-8 半導体における非線形電気伝導のカオス的描像
- 27a-M-1 GaAsにおける磁場中衝突電離過程とカオス
- 4a-E-2 電流フィラメントにおよぼす磁場効果とクロスオーバー不安定性
- 4a-E-1 半導体電流フィラメントのクロスオーバー不安定性とカオス
- 31a-Y-13 半導体における衝突電離過程とカオスIV
- 31a-Y-12 高純度GaAsにおける電流フィラメントの空間パターン
- 半導体におけるカオス現象
- 5p-C-9 半導体における衝突電離過程とカオスIII
- 4a-LT-9 InPの高電界電気伝導特性の静水圧依存性に関する理論解析
- 8. Firing Wave Instability and Chaos of Current Filaments in Semiconductor
- 半導体におけるカオス現象
- 2a-A-5 GaAsにおける励起子-中性不純物散乱
- 12a-R-5 GaAs及びInPの電界印加フォトルミネッセンス
- 1a-BJ-13 電圧印加 CdSe における励起子-電子非弾性衝突
- 1a-Pα-1 GaAsにおける波長選択アバランシェブレークダウン及びその確率過程II
- 2a-NL-5 熱平衡下におけるGaAsのポラリトンルミネッセンス構造の考察
- 2p GE-1 電界下におけるGaAsの励起子 : ポラリトン構造
- 5p-LT-19 P型GaAsのMOS構造におけるルミネッセンス
- 半導体における複雑さ (複雑系の科学--その理論的パラダイムを求めて)
- 3p-DS-22 GaAsにおけるルミネッセンスのエキシトン・ポラリトン構造
- 6pSB-8 n-GaAsにおける束縛励起子(D^+,X)のパルス電場下インパクト形成III(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 30a-FB-4 高濃度ドープ半導体における高圧力下のバンド交差効果(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))