30a-G-8 ポリアリレンビニレン系導電性高分子の電気的・光学的・磁気的性質
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-03-16
著者
-
吉野 勝美
大阪大・工
-
天川 清士
姫路工業大学
-
小野田 光宣
姫路工大・工
-
岩佐 俊典
大阪大・工
-
萬田 恭久
大阪大・工
-
中山 博史
姫路工大・工
-
天川 清士
姫路工大・工
-
萬田 恭久
阪大工
-
岩佐 俊典
阪大工
関連論文
- 2D07 レーザ照射によるスメクティック層回転の制御
- 酸化アルミニウム超薄膜挿入による有機EL素子の電極/有機界面の改善
- 混合ガス(SF_6/Ar)のインパルスコロナを介した絶縁破壊特性
- 不平等電界における混合ガス(SF_6/N_2)のパルス電圧による絶縁破壊特性
- P2-3 セル構造中Lamb波伝搬の液晶ダイレクタ依存性(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 3B02 ネマチック液晶の電界印加による配向変化のSH波伝搬による評価
- QA04 液晶セル内SH波伝搬を用いたネマティック液晶の粘度測定(ポスターセッションII)
- 3A13 強誘電性液晶の電気粘性効果の弾性波による評価
- PAa02 液晶の相状態が弾性波の伝搬に与える影響
- 火力発電所燃焼灰フライアッシュの電気化学的特性と二次電池特性
- インパルス電圧による混合ガス中の破壊に及ぼすバリア効果
- 齲蝕原性細菌の電気化学的特性とTiO_2による抗菌性
- C_-ポリイソチアナフテン接合素子の光照射効果
- 3a-C-9 可溶性ポリビチエニルメチン誘導体導電性高分子の電子状態とドーピング効果
- 高分子強誘電性液晶の双安定電気光学効果
- 強誘電性液晶自己保持超薄膜の構造と性質
- (ZnO/金属)複合電極を有する微小ギャップのインパルス放電特性
- パルスMIG溶接におけるアーク長のディジタル制御
- rfマグネトロンスパッタリング法により作成したc軸配向[(1-x)PbTiO_3+xMgO]薄膜の焦電特性
- 複合電極における大気圧微小ギャップの絶縁破壊特性
- 正イオン,負イオンおよび2温度電子を含むプラズマのシース
- Rfマグネトロンスパッタリング法による〔(1一x)PbTiO_3+xMgO〕薄膜の作製とその電気伝導特性
- 30a-G-8 ポリアリレンビニレン系導電性高分子の電気的・光学的・磁気的性質
- PbTiO_3単結晶の電気的性質
- ヨウ素を添加した低密度ポリエチレンの反転TSC
- 酸化低密度ポリエチレンの熱刺激電流に及ぼす水分の影響
- SF_6ガス中のコロナと絶縁破壊特性
- 吸湿可塑化ポリ塩化ビニルの放電電流と開放電位の時間特性
- 片面酸化高密度ポリエチレンの放電電流
- 吸湿可塑化ポリ塩化ビニルの陽極側表面着色現象
- 可塑化ポリ塩化ビニルの電気伝導特性に及ぼす吸湿の影響
- 誘電体の沿面放電電圧におよぼす湿度の影響
- 高圧ガスの破壊電圧と同ガス中におけるガラス棒の沿面放電電圧について
- 1B08 共役系主鎖ポリパラフェニレンビニレン骨格を有する高分子液晶の電子・光物性
- 3p-S4-14 電解重合法によるポリチオフェン置換体の物性
- 3p-S4-13 ポリ(3,4-ジアルキルチオフェン)の物性
- 3p-S4-11 ポリ(3アルキルチオフェン)の溶融と電気的、光学的性質
- 30a-G-5 複素環導電性高分子の電子状態と接合特性
- 絶縁碍子類の霧中閃絡電圧におよぼす汚損条件の影響
- 誘導体の表面電気伝導と衝撃沿面放電電圧におよぼす湿度の影響
- ポリエチレンの絶縁破壊に及ぼす酸化の効果
- SF_6ガスと空気の混合ガス中における沿面放電の挙動
- 気中交流コロナのコロナ・パルス分布
- 播磨工業地帯における絶縁碍子の季節風による汚損特性
- 印刷性向上のためのポリエチレン薄膜のコロナ放電による表面処理とその放電特性
- クモの巣の電気絶縁におよぼす障害について
- 高融点TCNQ錯塩の開発とそれを用いたアルミ電解コンデンサ
- 25a-K-6 電気化学的p型、n型ドープポリ(3-ヘキシルチオフェン)の光学的・磁気的性質
- 27p-M-10 ポリチオフェン誘導体のドーピング特性
- 27p-ZF-4 導電性高分子の電子物性
- 24a-Z-4 ポリ(p-フェニレンビニレン)誘導体のn型ドーピング
- 沿面放電電圧におよぼす空間電荷の影響
- 兵庫県下の諸工場の電力診断結果について
- 誘電正接による懸垂碍子の汚損度の判定
- 漏洩電流サージによる懸垂碍子の汚損度の判定
- 低圧空気中に於ける沿面放電電圧の諸特性
- 誘導体の純粋な沿面放電電壓の湿度特性
- ガイ子誘電体力率について
- 埋設式及び架線式両電熱温床の熱的特性
- 6a-H-9 極低温絶縁体の破壊遅れ
- 6a-M-3 ポリチオフェンおよびポリチオフェン置換体のn型ドーピング
- 30a-G-4 ポリ(3-アルキルチオフェン)の電気化学特性とそのアルキル鎖長依存性
- 4p-K-7 ポリ(パラフェニレン ビニレン)誘導体の電気化学特性とその学習効果
- 25a-K-5 ポリ(3-アルキルチオフェン-ジ(2-チエニル)エチレン)共重合体のドーピング効果
- 大気圧SF_6陽光柱のElenbaas-Heller方程式の複数状態解
- 3p-RA-6 二温度モデルによる大気圧水素マイクロ波放電プラズマ
- 27p-ZF-7 立体異性化電解重合によるポリ(ジチエニルエチレン)薄膜の電子物性とその機能応用
- 24p-Z-8 ポリ(ジチエニレンビニレン)系導電性高分子薄膜の電子物性
- 4p-K-8 導電性高分子の電子物性と電気化学的性質