30p-F-11 低エネルギーC^+-C_2H_2、-C_2H_4、-C_2H_6衝突における電荷移行断面積の測定
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
11p-J-6 低エネルギー多価イオン衝突XIII Xe^-分子ガスターゲットの多電子移行
-
3a-L-11 低エネルギーBeイオンによる炭素含有分子からの電子捕獲断面積
-
5. ダイバータモデリング及びデータベース : ITER計画における物理R&Dの活動の概要
-
3. ダイバータおよびそれに関連するデータベースとモデリング(「ITER物理R&D」専門家グループの現状と展望)
-
30a-Q-7 高エネルギーイオン衝撃によるガス凝縮層の電離過程
-
26pB-8 低エネルギーイオン衝突における固体表面からの2次電子放出
-
2.2 低エネルギーイオン衝突における非金属表面からの荷電粒子放出 : 2. プラズマ・表面相互作用素過程(プラズマ・表面相互作用) : 多様なPSI現象
-
低エネルギー金属イオン衝突実験のための永久磁石を用いた小型のペニング型イオン源(II)
-
低エネルギー金属イオン衝突実験のための永久磁石を用いた小型のペニング型イオン源
-
大学院全入時代の到来か?!
-
単純な現象論的方法によるNaI(Tl)シンチレータの全エネルギー吸収、シングル及びダブルエスケープピーク確立の計算
-
31a-YK-13 多価イオンの全電荷移行反応断面積のスケーリング
-
1.2keV 以下のエネルギーでのH_2分子との衝突における ^3He^ イオンの電荷移行反応断面積
-
30a-L-8 低エネルギーO^+-H_2,-CO,-CO_2,-CH_4衝突における電荷移行断面積の測定(原子・分子)
-
27p-ZK-2 低エネルギーC^+-H_2、-CO、-CO_2、-CH_4衝突における電荷移行断面積の測定
-
30p-J-4 低エネルギー多価イオン衝突XII. 多電子移行の統計模型
-
30p-J-3 低エネルギー多価イオン衝突XI. Kr^-分子ガスターゲットの多電子移行
-
30p-J-2 低エネルギー多価イオン衝突X. Xe^と希ガス原子との電荷移行反応
-
14pTE-12 水素イオン+水素分子電荷移行衝突における同位体効果 II(原子・分子, 領域 1)
-
17aTA-10 水素イオン+水素分子電荷移行衝突系における同位体効果の検証
-
22aYJ-5 低エネルギー^3He^イオン-分子衝突における電荷移行反応断面積の測定II
-
29a-ZC-4 低エネルギー^3H^イオン-分子衝突における電荷移行反応断面積の測定I
-
Are we proud of them?
-
26p-L-2 低エネルギーHe^+イオン-分子衝突における電荷移行反応断面積の測定II.
-
2a-L-4 低エネルギーHe^+イオン-分子衝突における電荷移行反応断面積の測定I.H_2,N_2,CO,CO_2標的
-
電子移動過程
-
28p-Y-6 高いポテンシアルエネルギーをもつイオンと固体の相互作用
-
3a-L-10 低エネルギーC^+-C_3H_M (M = 4, 6, 8)衝突における電荷移行反応断面積の測定
-
2p-L-1 電子衝撃による希ガス原子の電離断面積測定
-
30p-F-11 低エネルギーC^+-C_2H_2、-C_2H_4、-C_2H_6衝突における電荷移行断面積の測定
-
29a-F-1 電子衝撃による炭化水素分子の電離断面積測定
-
30p-ZG-4 高エネルギー多荷イオン衝突による凝縮層からの粒子放出(放射線物理シンポジウム)
-
27p-ZK-11 プラズマ中での原子自然放射遷移確率変化の可能性
-
30p-S-3 低エネルギーC^+, N^+, O^+-H_2, -He衝突における電荷移行断面積の測定
-
2a-SA-9 低エネルギー多価イオン衝突 IX : Kr^とNe, Ar, Kr, Xeとの電荷移行反応
-
31p-N-11 低エネルギー多価イオン衝突VII : 多価NeイオンとH_2,Heの電荷移行反応
-
5a-NW-7 低エネルギー多価イオン衝突VI. 改良された衝突実験装置の特性
-
5a-NW-6 低エネルギー多価イオン衝突V. He^の電荷移行反応III
-
30p-W-23 チャンネルトロン及びマイクロチャンネルプレートのイオン検出特性
-
1a-B-10 低エネルギー多価イオン衝突IV : He^の電価移行反応 II
-
1a-S-3 低エネルギー多価イオン衝突III He^と希ガスの電荷変換衝突
-
24pRD-3 水分子との衝突における低速の陽子およびヘリウムイオンの電荷移行断面積測定(24pRD 原子分子・放射線物理・融合(分子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
高エネルギー重イオン衝突による高電離2次イオンの成生 : 特長と応用
-
低エネルギーイオン衝突実験用表面電離型イオン源
-
ゲルマニウム半導体検出器の全エネルギ-ピ-ク効率曲線の傾きに対する経験則〔英文〕
-
周期永久磁石を使用した省電力小型の電子ビーム入射型イオン源
-
3a-E3-9 低エネルギーHe^-He, H_2衝突における電荷移行断面積の測定
-
低エネルギーイオン衝突実験のための電子衝突型イオン源
-
ゲルマニウム検出器のピ-ク対ト-タル効率比
-
蛍光X線分析法によるカルシウム-ハイドロオキシアパタイトのCa/P原子比の測定
-
Ge(Li)検出器の円板状面線源に対する全エネルギ-ピ-ク効率の形状補正
-
25cm^3Ge(Li)検出器のCascade Coincidence Summingの補正係数
-
31aXE-9 低エネルギー多価イオンの電荷移行反応断面積の測定V : C^ + 炭化水素分子衝突系 II
-
21aTE-9 低エネルギー多価イオンの電荷移行反応断面積の測定 VI : Ne と Ar の多価イオン+炭化水素分子衝突系における全電荷移行断面積のスケーリングについて
-
30aZF-4 低エネルギー多価イオンの電荷移行反応断面積の測定III : Ar^-CH_4, C_2H_n (n=2, 4, 6)衝突系
-
22pC-13 低エネルギー多価イオンの電荷移行反応断面積の測定II : Ne^-C_3H_m (m=4,6,8)衝突系
-
26aB-6 低エネルギー多価イオンの電荷移行反応断面積の測定I : Ne^-CH_4, C_2H_2, C_2H_4, C_2H_6衝突系
-
21aXH-12 炭化水素分子との衝突における低エネルギー陽子の電荷移行断面積II(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
23aWD-6 炭化水素分子との衝突における低エネルギー陽子の電荷移行断面積(23aWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
電子ビーム入射型イオン源で生成するネオン及びアルゴンの多価イオンの電荷分布
-
24p-P-9 省電力小型の多価イオン源の開発II
-
25pRA-1 タングステンイオンの発生とその電荷移行衝突について(原子分子・放射線融合(分子解離),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
27a-Q-11 高性能IC乗算器を使用した位置検出器用のアナログ割算回路
-
数KeV 領域における He^(q+)(q=1,2) イオンと He との電荷移行断面積
-
プロトンによるヘリウムとネオンの多重電離断面積の計算
-
-
プラズマ中の原子過程-4-イオン・原子・表面衝突過程-2-イオン・原子・分子・クラスタ-と固体との衝突
-
21aAJ-6 炭化水素分子との衝突における低速タングステンイオンの電荷移行断面積測定I(21aAJ 原子・分子(イオン・分子反応・多価イオン),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
1a-G2-9 低エネルギー-He2++He衝突における電荷移行断面積の測定(原子・分子)
-
26pXL-8 C^+イオン電荷移行反応におけるC_3H_4標的分子の異性体効果(26pXL 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
-
1p-A4-8 多価イオン衝突XIV : 簡単なモデルによる多電子移行の取扱い(1p A4 原子・分子)
-
25aXL-7 低エネルギー多価イオンの電荷移行反応断面積の測定IV : C^+炭化水素分子衝突系(25aXL 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
-
28a-R-9 永久磁石を使用した省電力小型多価イオン源の可能性(28aR 原子・分子)
-
1a-T-2 H^+及びO^+イオンと各種の分子との衝突における電荷移行反応断面積の測定(1aT 原子・分子,原子・分子)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク