電子ビーム入射型イオン源で生成するネオン及びアルゴンの多価イオンの電荷分布

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 近畿大学の論文

著者

• 日下部 俊男

  近大理工

• 日下部 俊男

  近畿大学理工学部原子炉工学科

• 日下部 俊男

  近畿大 理工 原子炉工

• 中嶋 善紀

  近畿大学理工学部原子炉工学科

関連論文

• 11p-J-6 低エネルギー多価イオン衝突XIII Xe^-分子ガスターゲットの多電子移行
• 低エネルギー金属イオン衝突実験のための永久磁石を用いた小型のペニング型イオン源(II)
• 低エネルギー金属イオン衝突実験のための永久磁石を用いた小型のペニング型イオン源
• 大学院全入時代の到来か?!
• 単純な現象論的方法によるNaI(Tl)シンチレータの全エネルギー吸収、シングル及びダブルエスケープピーク確立の計算
• 31a-YK-13 多価イオンの全電荷移行反応断面積のスケーリング
• 1.2keV 以下のエネルギーでのH_2分子との衝突における ^3He^ イオンの電荷移行反応断面積
• 30a-L-8 低エネルギーO^+-H_2,-CO,-CO_2,-CH_4衝突における電荷移行断面積の測定(原子・分子)
• 27p-ZK-2 低エネルギーC^+-H_2、-CO、-CO_2、-CH_4衝突における電荷移行断面積の測定
• 30p-J-4 低エネルギー多価イオン衝突XII. 多電子移行の統計模型
• 30p-J-3 低エネルギー多価イオン衝突XI. Kr^-分子ガスターゲットの多電子移行
• 30p-J-2 低エネルギー多価イオン衝突X. Xe^と希ガス原子との電荷移行反応
• 30p-F-11 低エネルギーC^+-C_2H_2、-C_2H_4、-C_2H_6衝突における電荷移行断面積の測定
• 30p-S-3 低エネルギーC^+, N^+, O^+-H_2, -He衝突における電荷移行断面積の測定
• 2a-SA-9 低エネルギー多価イオン衝突 IX : Kr^とNe, Ar, Kr, Xeとの電荷移行反応
• 31p-N-11 低エネルギー多価イオン衝突VII : 多価NeイオンとH_2,Heの電荷移行反応
• 5a-NW-7 低エネルギー多価イオン衝突VI. 改良された衝突実験装置の特性
• 5a-NW-6 低エネルギー多価イオン衝突V. He^の電荷移行反応III
• 30p-W-23 チャンネルトロン及びマイクロチャンネルプレートのイオン検出特性
• 1a-B-10 低エネルギー多価イオン衝突IV : He^の電価移行反応 II
• 1a-S-3 低エネルギー多価イオン衝突III He^と希ガスの電荷変換衝突
• グラウバー近似を使用したイオン衝撃による原子のK-殻電離断面積の計算
• 低エネルギーイオン衝突実験用表面電離型イオン源
• ゲルマニウム半導体検出器の全エネルギ-ピ-ク効率曲線の傾きに対する経験則〔英文〕
• 周期永久磁石を使用した省電力小型の電子ビーム入射型イオン源
• 3a-E3-9 低エネルギーHe^-He, H_2衝突における電荷移行断面積の測定
• 低エネルギーイオン衝突実験のための電子衝突型イオン源
• ゲルマニウム検出器のピ-ク対ト-タル効率比
• 蛍光X線分析法によるカルシウム-ハイドロオキシアパタイトのCa/P原子比の測定
• Ge(Li)検出器の円板状面線源に対する全エネルギ-ピ-ク効率の形状補正
• 25cm^3Ge(Li)検出器のCascade Coincidence Summingの補正係数
• 電子ビーム入射型イオン源で生成するネオン及びアルゴンの多価イオンの電荷分布
• 24p-P-9 省電力小型の多価イオン源の開発II
• 27a-Q-11 高性能IC乗算器を使用した位置検出器用のアナログ割算回路
• 数KeV 領域における He^(q+)(q=1,2) イオンと He との電荷移行断面積
• プロトンによるヘリウムとネオンの多重電離断面積の計算
• 1p-A4-8 多価イオン衝突XIV : 簡単なモデルによる多電子移行の取扱い(1p A4 原子・分子)
• 28a-R-9 永久磁石を使用した省電力小型多価イオン源の可能性(28aR 原子・分子)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク