1a-B-3 Anderson局在におけるポテンシャルレンジの効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-09-14
著者
関連論文
- 28a-HE-8 IK以下でのn型InSbとn型GaAsの磁気抵抗
- 1a-B-1 1K以下での金属的n型InSbの磁気抵抗
- 1a-Pα-8 100mK以下での金属的n型InSbの電気抵抗
- 2a-R-6 イオンビームの180°後方散乱異常
- 極微構造における量子伝導現象
- 30p-QB-10 金属における1/fノイズの発生機構
- 1a-E-11 小さな系のコヒーレント現象
- 3p-RM-1 弱局在域での磁気抵抗(3次元系)に対するカットオフパラメター依存性
- 14p-M-4 1/fノイズの理論(金属)
- 4. 相互作用の高次効果(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
- 30a-HE-2 弱局在領域における相互作用の高次効果:磁気抵抗
- 30a-HE-1 弱局在領域における相互作用の高次効果
- 1a-B-3 Anderson局在におけるポテンシャルレンジの効果
- InSbの磁気抵抗 : 多体効果とスピン・軌道相互作用(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 1a-Pβ-16 金属型不純物半導体の磁気抵抗II
- 1a-Pβ-15 金属型不純物半導体の磁気抵抗I
- 1a-Pα-7 3次元無秩序系における電気伝導度の対数的温度依存性
- 2p-NA-11 3次元無秩序系における電気伝導度の対数的温度依存性
- 31a-KC-7 Projection Operator を用いた Resolvent の摂動展開法II, 液体金属, アモルファス固体への応用
- 1a-B-8 極低温でのn型InSbの抵抗
- 4a-J-3 Fermion operator のAtomic operator への変換(Hubbardモデルへの応用)
- 極微構造中の量子伝導効果
- 薄い液状色素膜を利用したジャイアント・パルス・レーザー : 量子エレクトロニクス
- 5p-BL-15 Impurity Green's Function
- 12p-A-8 電磁場中のトンネル効果
- 5a-D-1 AttenuatorによるPhoton分布函数の変化
- 6.レーザー状態のモデル(「Coherent Stateの理論」,基研研究会報告)
- 7a-G-4 レーザー状態の1つのモデル
- 10p-G-8 2準位系における多重量子遷移
- 30a-LB-11 極微構造における磁気抵抗の非対称性(低温)
- 1p-L4-10 極微構造中のスカラーポテンシャルによるA-B効果(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 1p-PS-30 高温超伝導体にたいするCu-O混成軌道効果(低温(酸化物超伝導体))
- 31a-B1-1 磁気的相互作用とクーロン相互作用のからみ合いの効果(31a B1 低温)
- 30a-FC-2 正常金属におけるhc/e周期のA-B効果(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))