26aYQ-5 磁性積層膜のホットエレクトロン伝導(理論)VI

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 水島 公一

  (株)東芝研究開発センター

• 水島 公一

  東芝リサーチ・コンサルティング(株)

• 水島 公一

  東芝研究開発センター

• 山内 尚

  (株)東芝研究開発センター

• 山内 尚

  (株) 東芝 研究開発センター

• 水島 公一

  (株) 東芝 研究開発センター

関連論文

• 31a-TB-5 ボルツマン方程式を用いた近傍効果の解析
• 3a-ZE-1 境界面の状態に依存するペア相関関数の境界条件の導出
• GaAs基板上に形成されたスピンバルブトランジスタのスピン依存伝導特性(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
• GaAs(001)基板に形成されたスピンバルブトランジスタ
• GaAs(001)基板状のスピンバルブトランジスタ
• スピンバルブトランジスタ
• 18PWA-7 (001)Fe/Au/Fe//GaAsスピンバルブトランジスタの磁場依存伝導特性
• (001)Fe/ Au/Fe//GaAs構造のホットエレクトロン伝導
• 29pYB-6 Fe/Au/Fe//GaAs(100)構造のパリスティック伝導
• 23pYB-7 Fe/Au/Fe(100)積層膜のバリスティック伝導
• バリスティック電子が示すGMR効果 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (伝導電子-スピン)
• 23aE-3 ホットエレクトロン素子に於ける磁気抵抗効果と構造の最適化
• 26aYQ-6 Fe/Au/Fe積層膜のホール伝達
• 26aYQ-5 磁性積層膜のホットエレクトロン伝導(理論)VI
• スピンバルブトランジスタ 磁性積層膜におけるバリスティック電子の量子閉じ込め効果
• スピンバルブトランジスタ (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
• 27a-YJ-2 磁性積層膜のホットエレクトロン伝導(理論)(V)
• 27a-YJ-1 Fe/Au/Fe/積層膜のホットエレクトロン伝導(V)
• 1p-W-2 磁性積層膜のホットエレクトロン伝導(理論)(IV)
• 1p-W-1 Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導(IV)
• ホットエレクトロンが示すGMR効果
• 7a-YG-2 Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導(III)
• 7a-YG-1 磁性積層膜のホットエレクトロン伝導(理論)(III)
• 29a-WB-7 Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導(II)
• 29a-WB-6 磁性積層膜のホットエレクトロン伝導(理論) II
• 磁性積層膜のホットエレクトロン伝導(理論)
• Fe/Au/Fe積層膜のホットエレクトロン伝導
• 19pYB-11 F/N/F接合系における磁化のコヒーレント振動(微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピントルク発振素子の再生ヘッド応用(ハードディスクドライブ,一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク