5a-YF-14 Yb_4As_3のマイクロ波によるサイクロトロン共鳴
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
-
播磨 尚朝
阪大産研
-
青木 英和
東北大理
-
落合 明
新潟大工
-
鈴木 孝
東北大理
-
鈴木 孝
金材技研
-
青木 英和
首都大理工
-
豊田 直樹
阪府大先端研
-
松井 広志
阪府大先端研
-
成島 正基
阪府大先端研
-
Ochiai Akira
The Oarai Branch Institute For Materials Research Tohoku University
-
安田 隆則
阪府大先端研
関連論文
- 17pYH-4 FLAPW・スーパーセル法によるZnSベース希薄磁性半導体のマテリアルデザイン
- 30pXE-1 スクッテルダイド化合物PrFe_4P_の磁気励起(P-NMR)(スクッテルダイト : P系)(領域8)
- 27pYD-3 遷移金属ダイカルコゲナイドのCDW相における電子状態(電荷密度波)(領域6)
- 27aYG-2 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価II(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 23aTH-12 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価 II
- 22aPS-78 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW 相における電子状態
- 28aYB-1 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW と電子状態
- 29aZK-7 第一原理計算を用いた物質のの熱電特性の評価
- 28aYC-12 GaN中のMg不純物とN-vacancyについての第一原理計算
- 28aYC-9 Si中のEr不純物の結晶場の第一原理計算
- 24pYP-6 Si中のEr不純物の第一原理計算
- 24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
- 24aX-13 BaTiO_3中3d遷移金属不純物の電子構造と磁性
- 23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
- 25p-T-14 InP中の希土類不純物電子状態のFLAPW法による計算
- BaCoS_2のバンド計算
- 15a-R-1 LaNi、CeNiの電子構造とフェルミ面
- 29a-R-11 PrNi, NdNiの電子構造とフェルミ面
- 28a-M-17 NdIn_3の電子構造とフェルミ面
- 28a-ZJ-7 NdB_6の電子状態とフェルミ面
- 29p-APS-78 LAPW法によるCeSn_3とLaSn_3のフェルミ面
- 24a-F-1 CeCu_2Si_2のフェルミ面II
- 31aWF-4 PrOs_4Sb_ の風変わりな超伝導の理論
- CaB_6の電子状態とその周辺
- 24pH-3 近藤絶縁体YbB_の光電子スペクトルのLu置換依存性
- 29p-H-9 LuB_の音響的de Haas-van Alphen効果
- 29pZH-2 重い電子系 Pr 化合物の高エネルギー X 線内殻光電子分光
- 23aTP-7 MgB_2 の電子状態における炭素置換効果 : 角度分解光電子分光
- 22aXC-12 CeMX(M=Pd, Pt, X=P, As, Sb)の高分解能共鳴光電子分光
- 25aYC-13 CePtX(X=P, As)の高分解能共鳴光電子分光
- 28a-YJ-3 UPt_3のドハース・ファンアルフェン効果と主要フェルミ面
- 28pPSA-31 充填スクッテルダイト化合物の結晶場(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 20aWG-1 LuMCu_4 中の ^Cu NQR の理論的解析
- 29pPSA-27 スクッテルド鉱型化合物の電子構造 VIII
- 29pPSA-26 LaRh_3B_2 の電子構造とフェルミ面
- 19pYD-8 スクッテルド鉱型化合物の電子構造V
- 19pYB-5 Sr_Ca_xVO_3の高エネルギー光電子分光によるバルク電子状態の研究
- 28aPS-38 スクッテルド鉱型化合物の電子構造IV
- 27pYJ-5 バンド計算から見た充填スクッテルダイト化合物の特異性
- 22pPSA-44 スクッテルダイト鉱型化合物の電子構造III
- 26p-PSA-61 YCo_2とCeCo_2の電子状態 : Co位置の電場勾配の計算
- 26p-PSA-60 YCo_2の電子状態 : フェルミ面と質量増強因子の計算
- 23pWG-5 スクッテルダイト超伝導体 LaRu_4P_ の高分解能光電子分光
- PrOs_4Sb_のバルク敏感光電子分光(スクッテルダイト化合物研究の現状と展望,研究報告)
- 22aPS-14 YNi_2B_2C のフェルミ面
- 28aPS-2 YNi_2B_2 の電子状態
- 26p-M-5 Ce_3Pt_3Sb_4, Ce_3Pt_3Bi_4の電子構造
- 2p-F-15 CeCu_2Si_2のフェルミ面
- 4a-F-16 YCu2, LaNi, CeNiのフェルミ面
- 27a-YS-8 NiAsのdHvA効果とFermi面
- 27pXD-5 SmS golden-phaseにおけるギャップ形成のメカニズム(価数転移,少数キャリアー)(領域8)
- 31aWG-8 CeRh_3B_2 と LaRh_3B_2 のドハース・ファンアルフェン効果
- 30aPS-11 充填スクッテルダイトPrT_4Sb_(T=Ru,Os)のバルク敏感光電子分光(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 20aRA-8 PrFe_4P_ の光電子スペクトルの温度依存性
- 充填スクッテルダイトのバルク敏感光電子分光(スクッテルダイト化合物研究の現状と展望,研究報告)
- 5a-YF-14 Yb_4As_3のマイクロ波によるサイクロトロン共鳴
- 31a-J-6 LaCu_6のバンド計算とフェルミ面
- バンド計算の4fレベル(コメント)(IV. バンド計算,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
- 11a-W-8 YB_とLuB_のバンド計算
- YB_12のバンド構造(VIII ポスター・セッション,価数揺動状態をめぐる理論の現状,科研費研究会報告)
- 28pPSA-33 Ce系充填スクッテルダイト化合物の光学伝導度II(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 19pYD-7 充填スクッテルダイト化合物PrT_4X_(T=Fe, Ru; X=P, Sb)の3d-4f共鳴光電子分光
- 18aYD-4 CeRh_2Si_2の圧力下でのdHvA効果(III)
- 29pYK-7 CeCoIn_5のドハース・ファンアルフェン効果
- 17aPS-1 YMn_2 のフェルミ面
- 27pPSA-9 CaB_2C_2の磁性
- 30pWG-6 X 線回折による PrRu_4P_ の金属-非金属転移における構造相転移の研究
- 23pSE-7 UNiGa_5の単結晶育成と物性
- 23aSE-4 重い電子系超伝導体とCeIrIn_5の準二次元フェルミ面
- 23pPSB-31 USi_3の磁気抵抗とドハース・ファンアルフェン効果
- 29pYK-8 LaRhIn_5及びLaIrIn_5のdHvA効果
- 28pPSA-34 充填スクッテルダイトPrFe_4P_の圧力誘起金属絶縁体転移(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 20pPSA-9 PrFe_4P_ の高圧下磁化測定
- 20pPSA-8 充填型スクッテルダイト化合物 PrFe_4P_ 高圧下電気抵抗率測定
- PrOs_4Sb_のdHvA効果と磁気抵抗(スクッテルダイト化合物研究の現状と展望,研究報告)
- 20aRA-5 軌道秩序を示すスクッテルダイト化合物 PrFe_4P_ の磁気状態 : ^P-NMR 実験
- 7a-YF-8 高分解能角度分解光電子分光によるUPt_3の電子状態; Renormalized U 5f bands?
- 5a-G-19 UPt_3の高分解能角度分解光電子分光
- 13pRD-1 CePt_3Si の高圧下ドハース・ファンアルフェン効果(重い電子超伝導 : CePt_3Si, 領域 8)
- 29pXD-14 CeRhIn_5の加圧下でのdHvA効果II(重い電子糸超伝導(Ce系))(領域8)
- 29pXD-3 CePt_3SiとLaPt_3SiのdHvA効果(重い電子糸超伝導(Ce系))(領域8)
- 30p-P-1 Sr_2RuO_4の山地効果
- 28aPS-16 CeRh_2Si_2の圧力下でのdHvA効果(II)
- 充填スクッテルダイトREFe_4P_のde Haas-van Alphen 効果
- 28aPS-9 CeRhIn\5の角度分解光電子分光
- 28a-PS-8 ThBe_13の電子構造とフェルミ面
- 23aSE-5 CeRhIn_5のドハース・ファンアルフェン効果
- 6a-PS-63 PrPb_3のdHvA効果による反強四重極秩序
- 20aWG-11 CeTIn_5 (T=Co, Rh, Ir) のフェルミ面の 2 次元性と In 電場勾配
- 22pPSA-27 LaAl_2の電子状態 : フェルミ面と電場勾配の計算
- 28a-PS-9 LaIn_3とCeIn_3の電子状態 : In位置の電場勾配の計算
- 24pPSA-26 CaPd_3O_4の電子構造
- 26pR-12 RPd_3S_4(R=La, Lu)の電子構造
- 26p-PSA-58 LaPtAsとCePtAsのフェルミ面
- 30aXE-3 単結晶PrOs_4Sb_の^Sb-NMRによる研究(スクッテルダイト(Sb系,超伝導,新物質))(領域8)
- 28aWG-10 近藤絶縁体におけるエネルギー・ギャップの形成機構 I
- 17pYJ-6 第一原理計算によるp型伝導性透明酸化物の設計
- 28aPS-51 MB_2C_2(M=La, Ca)の電子構造
- 6pXC-13 充填スクッテルダイト化合物CeRu4P12の共鳴光電子分光における温度変化(重い電子系(スクッテルダイト),領域8)
- 6aPS-67 Ce系近藤半導体の光学スペクトル(4f・5f電子系,重い電子系,遷移金属酸化物,領域8)