26p-YG-5 ゲート誘起高移動度二次元電子ガスの高抵抗相

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-09-05

著者

• 平山 祥郎

  Ntt基礎研

• 佐久 規

  NTT-AT

• 佐久 規

  NTT基礎研究所

関連論文

• 29pYG-10 非対称ポテンシャルによる核スピン緩和速度の増大(量子ホール効果)(領域4)
• 28pYG-5 2層系v=1状態の整合・非整合相転移と磁気抵抗の2つの極小(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 28pYG-4 2層系量子ホール状態における面内磁場方向に依存した縦抵抗の異方性(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 22aTL-10 ナノ構造中の分数量子ホール電子による核スピンの制御
• 22aTL-9 非対称ポテンシャルによるν=2/3 核スピン偏極抑制効果の電流依存性
• 22aTL-8 ν=2/3 における単一ポテンシャル障壁によるヒステリシス
• 21pTL-5 トンネリングギャップの大きい 2 層系 v=1 量子ホール状態における励起エネルギー
• 31aZP-8 2 層系量子ホール状態における準位交差-反交差現象
• 31aZP-7 結合量子細線の磁場中電気伝導特性
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
• 18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
• 27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
• 23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
• 30p-X-4 サイクロトロン共鳴磁場での遠赤外光伝導
• 19aYJ-9 強磁場・高圧下におけるGaAs/AlAs系ヘテロ構造からの励起子発光スペクトル
• 27p-YN-3 p型変調ドープ単一ヘテロ構造の磁気フォトルミネッセンス
• 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
• 28a-D-8 Al_xGa_Asの中のDXセンターのフォトルミネッセンス
• 27a-YN-5 GaAs/AlGaAs量子井戸の超強磁場下サイクルロトロン共鳴スペクトルに現れるヒステリシス
• 2p-YH-2 超強磁場下におけるバリアの低い量子井戸中2次元電子のサイクロトロン共鳴の角度依存性
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 27pTC-9 二層量子ホール系における擬スピン強磁性と磁気異方性
• 27pTC-8 量子ホール状態における電子スピン・核スピン相互作用の電子充填率依存性
• 23pSA-12 弱い二次元短周期ポテンシャルアレイ中の電子の輸送特性
• 23pSA-9 二層系量子ホール遷移におけるスピンと電荷分布の効果
• 23pL-5 ポイントコンタクトの0.7(2e^2/h)構造
• 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
• 30p-X-14 異方的な散乱による輸送
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 27a-P-9 バリスティックウインドウにより結合した並列細線における干渉効果
• 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
• 26a-ZB-10 磁場、非対称構造における量子ポイントコンタクトの伝導特性
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
• 1次元共鳴トンネルダイオードにおけるmagnetotunneling
• 量子井戸細線の実現に向けて : 集束Gaイオンビーム注入による超格子構造の混晶化
• 24pK-12 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
• 23aL-10 二層系量子ホール効果におけるスカーミオン励起
• 24pD-5 高移動度試料における低ランダウ準位2層系量子ホール状態
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
• 23aL-9 二層量子ホール系におけるトンネリングとゼーマン効果の競合
• 24pD-4 二層量子ホール状態の電子配置と電子密度差に対する安定性
• 26p-YG-5 ゲート誘起高移動度二次元電子ガスの高抵抗相
• 26p-YG-5 ゲート誘起高移動度二次元電子ガスの高抵抗相
• 8a-N-13 バックゲート誘起二次元電子ガスの強磁場中での伝導特性
• 8a-N-13 バックゲート誘起二次元電子ガスの強磁場中での伝導特性
• 28p-R-1 二次元電子、三次元正孔間の磁場中での相互作用
• 28p-R-1 二次元電子、三次元正孔間の磁場中での相互作用
• 8aSA-7 ν=2/3における核スピン偏極への閉じ込めポテンシャル対称性の影響(分数量子ホール効果(理論,2層系),領域4)
• 24aWE-6 強磁場・高圧下におけるGaAs/AlAs系ヘテロ構造からの励起子発光スペクトル II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 24aWE-9 二次元電子系サイクロトロン共鳴の面内磁場効果(電子濃度依存性)(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク