BiのDiffusion-Size Effect : 半導体(炭素ビスマス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
n-InSbに於ける熱い電子の温度測定 : 半導体(不安定性)
-
6p-E-4 半導体プラズマのhelical instabilityの実験的検証
-
D. L. Carter and R. T. Bale 編: The Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors, Pergamon Press, New York, 1971, 568 ページ, 25.5×18.5cm, 16,200円
-
Bi-Sb合金の高電場効果 II : 半導体 (半金属)
-
3a-H-11 Bi-Sb合金の高電場効果
-
12p-K-3 Biの縦磁場中の横方向電圧
-
4a-G-11 ビスマスの拡散サイズ効果III
-
ビスマスのサイズ効果 : 半導体(半金属)
-
BiのDiffusion-Size Effect : 半導体(炭素ビスマス)
-
5p-A-1 単結晶Biのself-magnetoresistance効果
-
15a-K-7 PlasmaDensityVelocityの逆転
-
14p-K-6 n-InSbのhot carrier double injection
-
H. Ehrenreich, F. Seitz and D. Turnbull 編: Solid State Physics, Vol. 26, Academic Press, 1971, 490 ページ, 24×16cm, 11,000円. 3) M. Glicksman: Plasmas in Solids p. 275〜427
-
4p-K-3 Ag-CdCr_2Se_4(In doped)junctionの磁場効果
-
6a-G-10 n-InSbのimpact ionizationと負性抵抗
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク