服部 健雄 | Rca基礎研
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概要
関連著者
著作論文
- D. L. Carter and R. T. Bale 編: The Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors, Pergamon Press, New York, 1971, 568 ページ, 25.5×18.5cm, 16,200円
- Bi-Sb合金の高電場効果 II : 半導体 (半金属)
- 3a-H-11 Bi-Sb合金の高電場効果
- 12p-K-3 Biの縦磁場中の横方向電圧
- 4a-G-11 ビスマスの拡散サイズ効果III
- ビスマスのサイズ効果 : 半導体(半金属)
- BiのDiffusion-Size Effect : 半導体(炭素ビスマス)
- 5p-A-1 単結晶Biのself-magnetoresistance効果