ニッケル蒸着膜の水素吸着(I) : XXII. 表面物理

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1959-03-31

著者

• 水島 宣彦

  通研

関連論文

• GaAs薄膜の性質(II) : 半導体 : 気相成長
• 2B27 蒸着金膜の構造
• ニッケル蒸着膜の水素吸着(II) : XXII. 表面物理
• ニッケル蒸着膜の水素吸着(I) : XXII. 表面物理
• CdS薄板結晶の高電界現象 : 半導体 : ダイオード,不安定

スポンサーリンク