CdS薄板結晶の高電界現象 : 半導体 : ダイオード,不安定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-10-12
著者
関連論文
- 10a-H-11 Se-Te混晶の電気伝導 II
- 12a-K-3 GaAs薄膜スイッチの特性計算
- セレン結晶の電気伝導と圧力効果 (I) : 半導体 (化合物, その他)
- GaAs薄膜の性質(II) : 半導体 : 気相成長
- 2B27 蒸着金膜の構造
- 15a-A-19 セレンテルル合金単結晶の電気伝導と圧力効果
- ニッケル蒸着膜の水素吸着(II) : XXII. 表面物理
- ニッケル蒸着膜の水素吸着(I) : XXII. 表面物理
- CdS薄板結晶の高電界現象 : 半導体 : ダイオード,不安定