7p-E-3 ルチル中の欠陥に関するCo-57 Mossbauer Probeの応用

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1971-04-06

著者

• 八木 栄一

  理研

• 松井 啓治

  東北大工無所属

関連論文

• 29p-F-9 NbMo合金中の水素の格子位置
• 2p-UA-10 応力下でのV中Hの存在状態
• 3a-Q-8 Nb中のHの格子位置
• 1p-KE-10 V中のHの格子位置
• 31a-X-14 単結晶オーステナイト系ステンレス鋼のイオンビーム解析
• 25pYK-6 酸素添加したNb中の水素の存在状態(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 5a-S-11 固体Ar、固体Xe中のFe原子の動的挙動
• 5a-KM-11 Ge73 13.3Kevメスバウアー線源作成(Ga73親核)
• 3a-N-5 Ge^ 13.3kevメスバウアー効果の応用(II)
• 3a-N-4 Ge^ 13.3kevメスバウアー効果の応用(I)
• 3a-N-3 Ge^ 13.3kevメスバウアー効果(II)
• 30a-U-10 ゲルマニウムの放射線損傷とメスパウアー効果 : Fe57とGe73
• 3a-TA-4 γ-線損傷を受けたP-Siの回復過程
• 28aYA-8 照射によるNb中の水素の存在状態の変化(28aYA 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 粒子加速器を利用した金属中微量元素の分析
• 30a-ZN-3 Kr照射したAl中のKrバブルの焼鈍効果
• 5a-Z-5 Al中のHeバブルのランダム運動
• 1p-KE-7 鉄中のミュオンの拡散
• 24a-L-8 低温照射した不規則化Cu_3Auの熱的回復
• 11p-U-6 照射されたCu_3Auのstage I の回復
• 8a-Y-4 CuおよびCu_3Auの照射損傷率
• 8a-E-11 照射したCu_3Auの回復過程
• 7p-E-6 Cu_3およびCuの低温照射損傷
• 2a-TA-11 Cu_3Auの照射損傷
• 10p-Q-9 Cu_3Auのサイクロトロン照射
• 25aY-12 黒鉛中のボロンの格子内位置
• 22aXA-5 Mo 添加による Nb 中の水素の存在状態の変化
• 29aYG-8 Nb-Mo 合金中の水素の存在状態の Mo 濃度による変化
• 22aXA-6 Nb-Ta 合金中の水素の格子内位置
• 31a-M-12 Nb-Mo合金中の水素の存在状態
• 25aYL-7 Fe中のXeバブル形成過程のチャネリング法による観察
• 13a-L-1 Al中にイオン注入されたSnの格子位置
• 28a-H-13 AL中にイオン注入されたSnの格子位置
• 5p-M-12 TiO_の格子欠陥
• 5p-G-1 還元ルチル(TiO_2)の面欠陥
• 還元ルチルの低温電気伝導と格子欠陥 : 格子欠陥
• 26p-T-8 金属中の稀ガス原子および水素の状態 : チャネリング実験
• 14a-DK-4 Krを注入したAlに対する焼鈍の効果
• 28a-H-2 Nb-Mo合金中の水素の格子内位置
• 30a-ZN-2 Al中のKrバブル
• 27a-K-3 Al中にイオン注入されたKrの挙動
• 5a-Z-4 Al中にイオン注入されたKrの挙動
• 30p-F-9 Al中にイオン注入されたKrの挙動
• 5a-A3-3 Al中にイオン注入されたKrの存在状態
• 28a-K-11 AL中のKrの挙動
• 29p-RC-7 Kr照射されたAl中のバブルの性質 (II)
• 3.鉄中の正ミュオンの拡散(金属中の荷電粒子の運動,研究会報告)
• 29p-P-4 チャネリング法 : 特に金属中の水素および稀ガス原子の存在状態の研究
• 3p-L-5 イオンビームによる水素の結晶格子内位置の研究
• 7p-E-2 Co-57を含むシリコンの中性子 : 50MeV電子線損傷
• 3a-TA-5 Co^を含むSiの中性子損傷
• 2p-TA-11 CaF_2中のCo^メスバウアースペクトル
• 5a-T-10 AU-Si合金中のSn119m,Co57 メスバウアープローヴ
• 14a-Q-2 Sn119mメスパウアープローヴによるシリコン中の錫・空孔対同定
• 5a-KM-12 UO_2中のNp237メスバウアープローブ(U237親核)
• 23p-L-13 Si、Ge中のSn^メスバウアープローヴ
• 23p-L-12 Co^、Sn^メスバウアープローヴによるGaAs、Siの放射線損傷検出
• 7p-E-1 UO_2の酸化及びBeOの中性子損傷に関するCo-57Mossbauer Probeの応用
• 7p-L-14 SiliconのOhmic Contact
• γ線を照射したSiの磁気抵抗効果 : 格子欠陥
• 3p-M-7 格子欠陥のあるSiの磁気抵抗
• 30a-G-7 鉄中のミュオンの拡散
• Siの転位 : XX. 半導体
• 2a-Q-3 Ni中のミュオン・スピン回転と共鳴
• 核反応チャネリング法による金属中の固溶水素の状態分析
• 23p-L-11 等軸結晶中のイオン対とKaryagin-Goldanskii効果
• 10p-U-8 Co^メスバウアープローブによるSi損傷の実験(4)
• 3a-N-2 50Mev電子線照射によるSi,Ge中のCo^の置換効果(III)
• 3a-N-1 The Giant Quadrupole Splitting Formalism (II)
• 7p-E-3 ルチル中の欠陥に関するCo-57 Mossbauer Probeの応用
• 7a-E-11 Co 60γ照射を受けたCaF2におけるイオン対の生成とカリヤーギン効果
• 7a-E-10 Co-57 Mossbauer Probeによる欠陥の同定
• 9p-P-5 シリコンのγ線損傷とその回復
• 20aAH-4 合金元素添加によるNb中の水素の格子内位置の変化(20aAH 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29p-LG-1 プロトンあるいはアルファ粒子照射されたCu_3Auの低温での回復(格子欠陥)
• 3pM2-8 Nb-Mo合金における水素の捕獲(格子欠陥)
• 30p-CM-4 Ta中のHの格子位置(金属)
• 30p-T-1 Al中のKrの挙動(30pT 格子欠陥)
• 1a-FA-6 Kr照射されたAl中のバブルの性質(1a FA 格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク