12p-M-5 モンテ・カルロ法によるアニール・イジング・モデルの動力学 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1983-09-13
著者
関連論文
- 30p-PSA-5 2次元フラストレート・イジングモデルのトポロジカルエントロピーIII
- 1p-YA-14 2次元フラストレート・イジングモデルのトポロジカルエントロピーII
- 7a-YJ-3 2次元フラストレート・イジングモデルのトポロジカルエントロピー
- 5a-ZB-8 厳密解を用いた一次元ハバードモデルの性質 : 磁場依存性
- 3a-S3-10 拡張されたハバードモデルのUに関する2次摂動
- 28p-U2-11 Ce化合物の磁気的性質
- 1p-LF-4 金属 : 絶縁体界面の電子状態
- 4p-K-13 金属・絶縁体(半導体)界面の電子状態のモデル計算
- 3p-W-2 反強磁性体の外磁場による相転移近傍の光散乱(II)
- 12a-S-2 スパイラル磁性体の光散乱の磁場効果
- 12a-S-1 反強磁性体の外磁場による相転移近傍の光散乱
- 9a-D-6 反強磁性体MnF_2における^Mn核スピン-格子緩和の磁場依存性
- 28a-PS-3 強相関軌道縮退アンダーソンモデルの有限温度における素励起
- CuGeO_3の磁気的性質
- 3p-E-1 量子細線内に於ける複合フェルミオンのサブバンド内素励起
- 1次元ハバードモデルの有限温度における素励起
- 28a-PS-54 不純物スピンを含むBabujian-Takhtajanモデルの有限磁場における素励起スペクトル
- 5a-J-6 磁場中量子細線のサブバンド間励起
- 5a-J-6 磁場中量子細線のサブバンド間励起
- 29p-PSA-4 閉じ込められた1/r^2模型:厳密な固有関数とスペクトル
- 29p-YF-13 電子相関によるコンダクタンス振動の2つの周期
- 30p-PSA-47 一次元S=1/2反強磁性Heisenberg Modelの有限温度における素励起
- 30p-YP-4 マルチチャネル近藤モデルの磁場中での素励起スペクトル
- 12a-S-7 マルチチャネル近藤モデルの有限温度における素励起スペクトル
- 1a-N-8 量子井戸電子系の集団励起
- 27a-P-3 少数不純物、スリットを含む量子細線における電気伝導
- 28a-ZK-3 s-dモデルの有限温度における素励起スペクトル
- 量子細線における遮蔽効果
- 1a-N-9 非対称二重量子井戸構造におけるパルス光電子励起
- 31a-F-6 水素分子の解離散乱過程に現れる配向効果II
- 水素分子の解離散乱過程に現れる分子配向効果
- 解離吸着過程及び会合脱離過程での分子の回転状態励起III
- 1a-YA-5 会合脱離及び解離吸着ダイナミクスにおける表面温度の影響
- 29p-PSB-27 解離吸着過程ダイナミクスにおける表面温度の影響
- 29p-J-13 Rotational State Excitations of Molecules in Dissociative Adsorption/Associative Desorption Processes II
- 28p-YH-1 フラストレート・イジング系浸透表現のアニール性II
- フラストレート・イジング系浸透表現のアニール性
- フラストレート・イジング系の浸透系表現III
- 29a-D-8 フラストレート・イジング系の浸透系表現II
- 29p-PSA-31 完全フラストレート・イジング模型の低温での振る舞い
- 29p-PSA-30 フラストレート・イジング系の浸透系表現
- 12a-H-5 2D強フラストレート・イジング系のコヒーレント相IV
- 1a-E-3 2D強フラストレート・イジング系のコヒーレント相III
- 28a-PS-22 2D強フラストレート・イジング系のコヒーレント相 II
- 28a-ZM-5 2D強フラストレート・イジング系のコヒーレント相
- 28p-BPS-38 フラストレート・イジング格子のバーコレーション秩序
- 25a-J-2 フラストレート・イジング格子のシングレット秩序II
- 3a-Q-13 フラストレート・イジング格子のシングレット秩序
- 30a-TL-11 浸透系表現による士Jランダム立方格子系の秩序
- 5p-S-14 フラストレート・イジング系を記述する浸透理論V
- 3p-D5-13 フラストレート・イジング系を記述する浸透理論III
- 29p-F-5 STM探針と金属表面間の点状接触領域におけるコンダクタンスの量子化 : 電子相関効果
- 3p-PS-5 隠れたマチス相の分子場理論
- 3p-PS-4 アニール・イジング±Jモデルのパーコレーション問題
- 4a-KP-9 モンテ・カルロ法によるアニール・イジング.モデルの動力学III
- 4a-KP-8 隠れたマチス相の秩序変数とアニール系
- 12p-M-11 SKモデルの隠れたマチス相
- 12p-M-5 モンテ・カルロ法によるアニール・イジング・モデルの動力学 II
- 29p-SB-31 モンテ・カルロ法によるアニール・イジング・モデルの動力学
- 29p-SB-30 リアル・レプリカ系の帯磁率
- 30a-U-10 n層系のPottsモデルの双対性
- 30a-KC-6 飾り付き格子での反強磁性的 Potts モデル
- 29a-H-2 金属表面での散乱過程における分子内振動励起
- 28p-PSB-34 金属表面吸収分子の光誘起ダイナミクス-振動励起と脱離
- 13a-PS-51 金属表面での荷電粒子の動的過程のマルコフ性と非マルコフ性II
- 22aTF-9 ナノ光学過程の量子演算子法による表現
- 17pRD-10 内部自由度3の完全競合浸透系の動的性質の解析
- 27pZC-4 フラストレート・ポッツモデルに対応するパーコレーション系
- 25aTE-4 多状態ポッツスピン系でのフラストレーションの構成
- 25pQ-8 競合イジング模型における強磁性相のスピンクラスター構造II
- 25pQ-4 3状態ポッツスピン系でのフラストレーションの構成
- 26p-YG-3 乱れた二次元電子系の強磁場中における局在している電子状態
- 25a-B-9 競合イジング模型における強磁性相のスピンクラスター構造
- 26p-YG-3 乱れた二次元電子系の強磁場中における局在している電子状態
- 2次元±Jイジング模型のパーコレーション転移
- 三角反強磁性イジングモデルにおけるトポロジカルな秩序II
- 29a-D-9 三角反強磁性イジングモデルにおけるトポロジカルな秩序の存在
- 27p-X-1 フラストレート・イジング系を記述する浸透理論
- スピングラス秩序を表現する浸透理論(スピングラス(リエントラント転移を中心として),研究会報告)
- 30a-QB-5 アニール系のボンド状態をクエンチしたランダム・スピン系のパーコレーション問題
- アニール±Jイジング系の成分としてのボンド・クエンチ系(F.スピングラスの理論,基研短期研究会「スピングラスとその周辺」,研究会報告)
- 1p-C-15 アニール±Jイジング系をクエンチした体系のパーコレーション問題III
- 2p-M-12 時間に依存するアニール・イジングスピン系
- 31p-Pα-14 リアル・レプリカ法によるスピン・グラスの解析
- 2a-NA-6 イジング・クエンチ混晶(J,-αJ)の相図
- 31a-W-30 イジング・レプリカ系の基底状態
- 28a-K-19 レプリカ法に基づくスピングラス相
- 5a-K-1 パーコレーション問題によるPotts : モデル拡張
- 31a GL-6 イジング希薄磁性体のパーコレーション問題
- 多重縮退のあるボンド問題(ランダムスピン系の相転移,研究会報告)
- 3p-BL-4 ブロック・イジング・モデル
- 1a-LG-11 四体力を含むイジング・モデル
- 9a-A-4 イジングモデルの双対性
- 9.イジング稀薄磁性体の双対性(ランダム系の相転移,研究会報告)
- 6a-B-6 ランダム・イジング格子の零点エントロピー
- 5p-L-16 ボンド希薄磁性体の自由エネルギー
- 11p-H-1 磁性混晶のイジングユニット-ボンドモデル
- 2p-E1-13 フラストレート・イジング系を記述する浸透理論II(統計力学・物性基礎論)
- 6pTB-5 新しい多値スピン・ネットワークによるパタン認識(ニューラルネットワーク・情報統計力学,領域11)
- 1a-A7-11 アニール・イジング±Jモデルのパーコレーション問題 II(1a A7 統計力学・物性基礎論)