5p-NL-9 化合物半導体(ヘテロ接合)の電子状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1981-09-14
著者
関連論文
- 3p-K-8 CuFeSzの電子構造
- 2a-B-5 磁性半導体の電気伝導
- 29p-J-5 HgCr_2Se_4の電子構造II
- 3a GB-6 Crスピネルの電子構造
- 1a-Pβ-14 混晶半導体の電予構造II
- 31a-B-4 鉄化合物の圧力誘起高スピン→低スピン転移
- 3a-NGH-31 CuCr_2Se_4,CuCr_2Te_4の電子構造
- 5p-NL-8 混晶半導体の電子構造
- 31p-L-3 CuCr_2S_4の電子構造
- 31a-N-1 二極小ポテンシャルをもつ分子の振動・回転準位と吸収スペクトル
- 4a-E-5 V,Cr薄膜の電子構造とスピン分極
- 30p-A-7 化合物混晶半導体界面の電子状態II
- 31a-U-3 金属内部での水素の拡散
- 30p-C-3 生体膜の流動性I
- 31a-U-3 金属内部での水素の拡散
- 2p-NM-11 化合物混晶半導体界面の電子状態
- 3a-NGH-32 非磁性カルコパライト型化合物のバンド構造
- 5p-NL-9 化合物半導体(ヘテロ接合)の電子状態
- 31p-L-2 CuFeS_2の電子構造 II
- 3p-AC-3 遷移金属表面の原子構造と電子構造
- 28a-H-8 磁性半導体CdCr_2Se_4の不純物準位