2a-B-5 磁性半導体の電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-09-10
著者
関連論文
- 4a-B-4 MnO, FeO, CoO, NiOはMott insulatorか?
- 28a-P-3 遷移金属酸化物の電子状態と磁性
- 30a-BB-9 強磁性遷移金属の有限温度の磁性
- 30a-D-11 キュリー点以上での鉄の磁気的性質
- 4a-NS-4 鉄の隣接原子間交換相互作用 II
- 1a-R-7 鉄の隣接原子間交換相互作用 I
- 3p-K-9 CuAlS_2,CuGaS_2の電子構造
- 3p-K-8 CuFeSzの電子構造
- 2a-B-5 磁性半導体の電気伝導
- 27p-B-1 I-III-VI_2化合物の電子構造
- 30a-U-10 V薄膜の電子構造と表面磁性
- 29p-J-5 HgCr_2Se_4の電子構造II
- 4p-Z-5 HgCr_2Se_4 の電子構造
- 2a-B-10 CdCr_2S_4・CdCr_2Se_4の電子構造
- 2a-B-9 スピネル型磁性半導体の電気伝導
- 3a GB-6 Crスピネルの電子構造
- 5a-DR-19 CdCr_2S_4・CdCr_2Se_4の電子構造
- 1a-Pβ-14 混晶半導体の電予構造II
- 31a-B-4 鉄化合物の圧力誘起高スピン→低スピン転移
- 31a-N-1 二極小ポテンシャルをもつ分子の振動・回転準位と吸収スペクトル
- 4a-E-5 V,Cr薄膜の電子構造とスピン分極
- 30p-A-7 化合物混晶半導体界面の電子状態II
- 31a-U-3 金属内部での水素の拡散
- 30p-C-3 生体膜の流動性I
- 31a-U-3 金属内部での水素の拡散
- 2p-NM-11 化合物混晶半導体界面の電子状態
- 5p-NL-9 化合物半導体(ヘテロ接合)の電子状態
- 3p-AC-3 遷移金属表面の原子構造と電子構造
- 2a-Q-2 NiO表面による希ガス原子の回折強度の計算