14p-DH-2 走査型アトムプローブ(SAP)の開発 : 針先-電極間の電界の計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-09-20
著者
関連論文
- 21aHW-5 InAlAs/InGaAs多重量子井戸ヘテロ界面の2次元電子ガスからの電界電子放射(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14p-DH-1 イメイジングプレイトを用いた電界イオン顕微鏡
- 表面を探る : 2. 表面顕微鏡: Si表面のSTS ( 表面)
- 27p-R-4 STMによるSi(001)面上のGe蒸着膜の微細構造観察
- 2P-E-1 STM/STSによるSi(001)表面のステップ構造とその電子状態の研究
- 28a-S-2 針状試料先端の半導体超薄膜からの電子のトンネル過程
- 5a-R-13 針状試料先端の半導体膜の研究III
- 31p-WC-6 針上試料先端の半導体膜の研究 : 表面の電子状態について
- 14p-DH-3 針状試料先端の半導体膜の研究II
- 30p-G-13 針状試料先端の半導体膜の研究
- 27a-Z-13 A-P・FEESによるGe/Irの組成と電子状態の研究
- 28p-ZF-6 Si(001)上のGeの成長過程のSTMによる観察
- 超高真空仕様の走査型トンネル顕微鏡
- 原子レベルでみた表面構造 (物質のミクロ構造と機能設計)
- STMによる半導体表面の観察と探針評価
- 27a-P-4 走査型トンネル顕微鏡による電導性セラミックスの観察
- 5a-R-12 イメイジングプレイトを用いるFE/FIMの開発とFE/FIM像の解析
- 14p-DH-2 走査型アトムプローブ(SAP)の開発 : 針先-電極間の電界の計算
- 顕微鏡法
- 25a-ZG-5 STMによるGe/Siヘテロエピタキシャル成長の研究
- 2a-Y-3 アトムプローブによる無機・有機半導体の表面及び界面の分析
- 2a-Y-3 アトムプローブによる無機・有機半導体の表面および界面の分析
- 25pWB-11 位置感知型イオン検出器を備えた走査型アトムプローブの開発
- 23pW-4 走査型アトムプローブによるカーボンナノチューブの原子レベルの解析
- 走査型プロ-ブ顕微鏡による生体構造の精密トポグラフィ-解析
- 1. トンネル顕微鏡にかける夢