西川 治 | 金沢工大工
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概要
関連著者
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西川 治
金沢工大工
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大
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富取 正彦
東工大総理工
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芦野 慎
金沢工大工
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西川 治
東工大総理工
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岩脇 文和
東工大総理工
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富取 正彦
北陸先端大材料
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富取 正彦
東京工大総理工
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田村 宗聖
金沢工大工
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松沢 尚平
金沢工大工
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富取 正彦
北陸先端大
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西川 治
金沢工大
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西川 治
東京工業大学
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西川 治
東京工大総合理工
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富取 正彦
東京工業大学総合理工学研究科
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岩脇 文和
東京工業大学総合理工学研究科
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芦野 慎
金沢工大 工
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富取 正彦
東工大 総理工
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西川 治
金沢工大 工
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芦野 慎
金沢工大電子工
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西川 治
金沢工大電子工
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西川 治
金工大工
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木本 昌宏
金沢工大
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木本 昌宏
金沢工大工
著作論文
- 表面を探る : 2. 表面顕微鏡: Si表面のSTS ( 表面)
- 27p-R-4 STMによるSi(001)面上のGe蒸着膜の微細構造観察
- 2P-E-1 STM/STSによるSi(001)表面のステップ構造とその電子状態の研究
- 28a-S-2 針状試料先端の半導体超薄膜からの電子のトンネル過程
- 5a-R-13 針状試料先端の半導体膜の研究III
- 31p-WC-6 針上試料先端の半導体膜の研究 : 表面の電子状態について
- 14p-DH-3 針状試料先端の半導体膜の研究II
- 30p-G-13 針状試料先端の半導体膜の研究
- 27a-Z-13 A-P・FEESによるGe/Irの組成と電子状態の研究
- 28p-ZF-6 Si(001)上のGeの成長過程のSTMによる観察
- 超高真空仕様の走査型トンネル顕微鏡
- 原子レベルでみた表面構造 (物質のミクロ構造と機能設計)
- STMによる半導体表面の観察と探針評価
- 27a-P-4 走査型トンネル顕微鏡による電導性セラミックスの観察
- 14p-DH-2 走査型アトムプローブ(SAP)の開発 : 針先-電極間の電界の計算