13p-H-1 BaTiO_3焼結半導体の電気抵抗温度依存
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-09-20
著者
関連論文
- 9a-C-4 アントラセン結晶の光電導 XVIII
- 15p-C-5 アンスラセン結晶の光伝導 XV
- アンスラセン結晶の光電導 XIII : 分子結晶・有機半導体
- 28p-YD-11 水の20℃付近における異常 II
- 30p-YJ-2 水の20℃付近における異常
- 4p-YF-13 毛管水の20℃付近における異常
- 28p-YS-15 水の磁場印加・水和壁接触効果
- 14a-J-13 固相との界面の水の性質
- 13p-H-1 BaTiO_3焼結半導体の電気抵抗温度依存
- BaTiO_3の異常な負抵抗温度係数
- BaTiO_3単結晶上のSnO_2薄膜の電導度 : 物性・応用
- ZnO焼結体の吸着効果トランジスタ作用
- ZnO初期焼結体のネック半径
- 28a-ZJ-3 銅板を用いた核断熱消磁部の試作
- 6a-L-8 アンスラセン結晶の交流光電導
- 15p-C-4 アンスラセン結晶の光伝導 XIV
- アンスラセン結晶のトラップ : 分子結晶・有機半導体
- アンスラセン単結晶の暗電導 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
- アンスラセン結晶の空間電荷 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
- 12p-Y-11 水を化学吸着したn型半導体膜の電導度
- 15p-C-6 アンスラセン結晶の光電導 XVI
- アンスラセン結晶の光電導 XI : 分子結晶・有機半導体
- 1p-L-7 アンスラセン結晶の光電導VIII
- アンスラセン結晶の光電導 XII : 分子結晶・有機半導体
- アンスラセン結晶の光電導 X : 分子結晶・有機半導体
- 1p-L-8 アンスラセン結晶の光電導IX
- 14a-M-9 アンスラセン結晶の光電導 VII
- 4p-M-2 アンスラセン結晶の光電導 XIX
- 5p-YL-18 水と場の相互作用III
- 水と場の相互作用I
- 11p-A-6 酸素吸着した斜蒸着n型半導体膜の光電圧
- 11a-A-14 COの触媒酸化
- 「言霊の幸ふ国」の進化と創造性
- 9a-C-3 アンスラセン結晶の光電導 XVII
- アンスラセン結晶の光起電力 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
- アンスラセン結晶の光電導 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
- 4a-K-11 アンスラセン結晶の光電導VI
- アンスラセン結晶の光電導(V) : 分子結晶・有機半導体
- アンスラセン結晶の光電導(IV) : 分子結晶・有機半導体
- アンスラセン結晶の光電導(III) : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
- アンスラセン単結晶の光伝導(II) : イオン結晶・光物性(有機半導体)
- 8p-C-8 無定形セレンの光電導
- 4p-M-3 アンスラセン結晶の光電導 XX
- 吸着効果トランジスタによる窒素酸化物の計測
- 4p-M-4 アンスラセン結晶の光電導 XXI
- 13p-M-2 チャージキャリアの生成と消滅
- KCl結晶中の転位と点欠陥の相互作用 : 格子欠陥
- 2p-P-2 水の20℃付近における異常III(2pP 統計力学・物性基礎論(化学物理,散逸系,凝集系,神経系,その他),統計力学・物性基礎論)