2p-S-5 Mos_2基板城C_60エピタキシャル膜の角度分解光電子分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
関連論文
- 30p-BPS-2 ヘテロエピタキシャル成長した層状物質のSTMによる評価
- 7p-Q-11 テルルおよびセレンの核磁気共鳴 II
- 31p-N-15 表面X線回折法による層状物質ヘテロエピタキシャル超薄膜の構造決定
- 2p-S-5 Mos_2基板城C_60エピタキシャル膜の角度分解光電子分光
- 26a-ZD-14 ファン・デア・ワールス・エピタキシャル法によるC_薄膜単結晶の磁気光学スペクトル
- 30p-H-13 C_C_薄膜の高分解能エネルギー損失スペクトル
- 29p-C-13 種々の基板上へのフラーレン超薄膜のエピタキシャル成長
- フラ-レン薄膜のエピタキシャル成長
- 5a-L-7 セレン単結晶のフォトルミネッセンス
- 12a-R-4 菱面体晶系セレン単結晶の作製および光学的測定による評価
- 27p-R-6 GaAs基板上へのGaSe/MoSe_2超格子構造の作製とその界面特性
- 27aY-7 Si単結晶表面上でのNiOの分解
- 29a-L-5 HgBa_2CuO_の光電子分光
- 28p-S-8 Si, GaAs基板上への岩塩型酸化物の成長
- 26p-YR-7 Si(111)面上へのMgのエピタキシャル成長
- 26p-YR-5 高感度RHEED法によるアルカリハライドヘテロ構造の評価
- 26p-YR-4 GaAs基板上に成長したMgOの表面構造
- 30a-YE-8 in-situ光学測定によるアルカリハライドヘテロ界面の評価
- 29p-T-1 低速電子エネルギー損失分光による金属Baの酸化過程
- 28a-YC-13 CdF_2の電子エネルギー損失スペクトル
- アルカリハライド(111)面の表面物性
- MF_2(M=Mn, Fe, Co, Ni)の電子エネルギー損失スペクトル
- 31a-K-10 (111)方向に成長したNaCl薄膜の表面物性
- 31p-B-8 TiX_2(X=S, Se)薄膜の結晶成長 : その形態及び成長過程
- 30a-PS-46 銅ハライドエピタキシャル薄膜の表面電子状態
- 29p-PSB-29 半導体基板上フラーレン単層膜のHREELS測定
- 31p-S-10 CuClエピタキシャル薄膜の表面構造
- 10a-A-3 低温におけるシリコンのマイクロ波吸収機構
- 4a-NM-1 固体表面に於ける低速酸素イオンの反射
- 31a-J-1 金属表面上酸素のイオン衝撃脱離
- 3a-E-5 固体表面に於る低速水素イオンの反射
- 29a-U-9 核融合炉壁物質のスパッタリング
- 12a-S-10 BaPb_Bi_xO_3系超伝導物質の電気伝導
- 9a-R-5 層状物質MX_2のトンネル分光(I)
- 14a-W-8 静水圧下におけるテルルの電気伝導 III
- 4a-KL-14 静水圧下のセレンの電気伝導
- 24a-G-8 SbをdopeしたSe単結晶の赤外吸収
- 23p-G-8 静水圧下におけるテルルの電気伝導II
- 5a-M-5 静水圧下におけるテルルの電気伝導
- 3p-N-1 テルルおよびセレンの核磁気共鳴 IV
- 8a-B-18 テルルおよびセレンの核磁気共鳴 III
- 8a-B-17 単結晶テルルの格子欠陥と電気伝導
- 2p-TC-10 Te系半導体について、(実験的側面から)
- 15a-A-13 Te単結晶およびTe-Se系混晶の磁気共鳴
- 極低温におけるSiの高周波特性(XVI) : 半導体(レゾナンス)
- 極低温におけるSiの高周波特性(XV) : 半導体 : 不純物伝導
- 極低温におけるSiの高周波特性(XIII) : 半導体 : マイクロ
- 8p-F-11 極低温におけるSiの高周波特性(XI)
- 1p-Z-12 金属フタロシアニン超薄膜のエピタキシャル成長
- 28a-Z-12 ヘテロ成長したアルカリハライド薄膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 27p-PSA-7 ヘテロ成長した層状物質のHREELSによる評価
- 26a-O-9 CaF_2(111)表面のエネルギー損失分光II.
- ZnTeの核磁気共鳴 : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 3a-H-5 テルル単結晶の核磁気共鳴
- 29p-PS-17 半導体基板上に於けるアルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長
- 30p-A-6 KI/KCl超格子の励起子吸収
- 1p-N-5 アルカリハライド単結晶超薄膜のエピタキシャル成長
- 29a-G-3 有機エピタキシャル超薄膜の紫外光電子分光II
- 25p-Z-5 有機エピタキシャル超薄膜の紫外光電子分光
- 28a-M-4 金属フタロシアニンのヘテロエピタキシャル成長
- 28a-K-6 DCNQI金属錯体の超薄膜成長と電子分光による評価
- 2p-J-9 TaSe_2エピタキシャル超薄膜の電気伝導
- 2p-J-8 TiSe_2超薄膜のエピタキシャル成長及び電気伝導度測定
- 24aZ-1 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定(II)
- 28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定
- 31a-T-12 2D layered material buffer layers in large lattice mismatch heterostructures:The system CdS/InSe/Si
- C_エピタキシャル薄膜の初期成長過程
- 29p-PS-18 水素終端処理したSi基板上へのファンデアワールス・エピタキシー
- 25pW-6 ドープしたMoS_2、MoSe_2に観測される変調局所軌道のSTM/STS
- 29a-PS-61 層状物質ヘテロ超薄膜に観測される変調構造のSTM/STS
- 2a-E-12 ファンデアワールス・エピタキシー法によりヘテロ成長した超薄膜のSTM観察
- 29p-PSB-28 有機分子エピタキシャル超薄膜の光吸収定量による昇温脱離
- TiX_2(X=S, Se)成長膜の形状と、成長条件による影響
- 1a-F4-1 CaF2単結晶表面の電子線照射効果とヘテロエピタキシー(表面・界面)
- 30p-H-9 CaF_2(111)表面のエネルギー損失分光(表面・界面)