2p-YH-3 低真空中におけるカーボンナノチューブの再成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
関連論文
- 29p-BPS-19 固体C_の電気的性質に及ぼす圧力効果
- 28aUA-10 カーボンナノワイヤーの作製(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-12 H_2-Ne混合ガス中のアーク放電による単層カーボンナノチューブの作製(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 30pZP-4 H_2-N_2混合ガス中アーク放電による単層カーボンナノチューブの大量生成(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
- 28aZB-11 マクロスケールの単層カーボンナノチューブ網
- 28aZB-7 多層カーボンナノチューブの穴の中に形成されたカーボンチェーン
- 「有機結晶の新展開」小特集に寄せて(小特集序文)
- アーク放電法による単層カーボンナノチューブの作製と精製(有機結晶の新展開)
- 加藤範夫先生を偲ぶ会(閑話休題)
- アーク放電を利用したナノチューブ成長(カーボンナノチューブの成長とその応用)
- 「カーボンナノチューブの成長とその応用」小特集にあたって
- 交流アーク放電による単層カーボンナノチューブの生成--雰囲気ガスの影響について
- 交流アーク放電による単層カーボンナノチューブの生成--蒸発源近傍の温度効果について
- カーボンナノチューブを電子源とした超高輝度光源管
- アーク放電法で作製した多層および単層カーボンナノチューブ
- アーク放電によるカーボンナノチューブの大量作製(半導体エレクトロニクス)
- 27aWB-10 多層カーボンナノチコーブの高分解能STM原子像
- 水素ガス中アーク放電で作製した単層カーボンナノチューブ
- 27aWB-2 多層カーボンナノチューブの構造 II
- ナノチューブのミクロ構造解析と材料科学への応用
- 単層,多層ナノチューブの生成と精製 (特集 カーボンナノチューブ--期待される材料開発)
- 29p-T-9 Zn Cd Sb及びBi超微粒子の晶癖
- 8a-H-8 Zn微粒子の晶癖
- 30a-G-6 La フラーレンの高効率生成とそのキャラクタリゼーション
- 29p-PS-3 ガス蒸発法におけるC_族フラーレンの成長
- 24pY-8 多層カーボンナノチューブの構造
- 24aS-11 多層カーボンナノチューブの磁性
- H_2Sを添加した水素ガス中アーク放電で作製したSWNTs
- 水素ガス中アーク放電で作製した多層カーボンナノチューブ : 気相成長
- 極小カーボンナノチューブ先端の形成モデル
- 26p-F-3 カーボンナノチューブの成長条件
- カーボンナノチューブの生成 : 基礎V
- 29p-BPS-16 C_とC_のDSC法による熱容量測定
- 24pYF-4 カリウムをドープした2種類の単層カーボンナノチューブのラマン散乱
- アークプラズマジェットで作製した単層カーボンナノチューブのキャラクタリゼーション
- 多層カーボンナノチューブの高分解能STM原子像
- アークプラズマジェットによる単層カーボンナノチューブの大量生成
- カーボンナノチューブの作製-SEMによる観察-
- 29p-XA-13 高温雰囲気ガス中アーク放電による単層カーボンナノチューブの作製
- 29p-XA-6 多層カーボンナノチューブの共鳴ラマン散乱
- 多層カーボンナノチューブの作製法とその物性
- Raman Spectra and X-Ray Diffraction Patterns of Carbon Nanotubes Prepared by Hydrogen Arc Discharge
- 26a-M-5 多層カーボンナノチューブのラマン散乱
- 30p-YE-6 アーク放電で作成した炭素同素体の構造
- カ-ボンナノチュ-ブの作製と精製
- フラーレンの芽
- 6a-P-1 灯油の熱分解によるフラーレン生成
- 31a-D-13 多層カーボンナノチューブの空気中加熱精製
- 29a-ZA-10 カーボンナノチューブの生成条件
- カーボンナノチューブ (炭素第三の同素体フラーレンの化学) -- (フラーレン類の合成)
- 25a-Z-12 ガス蒸発による金属(La, Sc)内包フラーレンの作製と金属・炭素上記からの発光
- 29p-BPS-23 C_の放射光による粉末X線回折
- CNT複合樹脂の摩擦摩耗特性(J17-2 表面改質とトライボロジー(II),J17 表面改質とトライボロジー)
- Sponge of Purified Carbon Nanotubes
- Morphology of Carbon Nanotubes Prepared by Carbon Arc
- 水素ア-ク放電によるカ-ボンナノチュ-ブの作製
- 水素ガス中アーク放電による花びら状カーボン膜の作製
- 水素アークによる花びら状カーボン膜の作製 : 薄膜
- 水素アーク放電によるカーボンナノチューブの作製 : 微粒子 I
- 31p-B-13 水素ガス中蒸発によるカーボンナノチューブの作製
- 28a-YC-4 アーク放電直後の表面におけるカーボンナノチューブの成長
- 28a-YC-3 金属を触媒にしたカーボンナノチューブの成長
- カーボンナノチューブの成長 : 有機結晶I
- 2p-YH-3 低真空中におけるカーボンナノチューブの再成長
- SiC結晶表面上の2次粒子成長 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 11p-Q-11 亜鉛単結晶の底面すべりにおける初期転位密度の影響
- 14a-G-9 亜鉛結晶の蝕凹
- SiC極性結晶のモルフォロジ-
- 29a-YW-12 カーボンナノチューブの再成長
- ガス蒸発法で作成した高融点化合物の超微粒子
- 28p-WC-6 市販のマイクログリッド上に見られる薄板微結晶
- 13p-Y-4 電極付着物の先端に成長したカーボンナノチューブ
- 28a-ZG-1 SiC極性面上に成長した2次粒子 II
- SiC焼結体に見られる双晶 : 評価I
- 25a-B-4 SiC極性面上に成長した2次粒子
- SiC超微粉の焼結における遊離Siの効果 : モルフォロジーII
- タイトル無し
- タイトル無し
- 26pXN-11 多層カーボンナノチューブのG-バンドの分裂(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))