25pW-4 RAIRS investigation of CO adsorption on M-I-M system
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27pXJ-11 Pt(111)に吸着したNO分子のレーザー誘起脱離の脱離機構(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
14pXF-2 低速陽電子ビームを用いた水素吸着 Ni(111) 表面の評価(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
-
28pXM-12 陽電子誘起イオン脱離法を用いた低温金属単結晶表面実験システムの開発および評価(X線・粒子線(陽電子・コンプトン散乱))(領域10)
-
20pXB-6 Ni 表面における再放出陽電子への吸着水素の効果
-
29pXJ-14 陽電子誘起イオン脱離測定装置の評価
-
18aTH-2 陽電子誘起脱離イオン測定装置の開発
-
27pXC-10 陽電子を用いたNi表面からのイオン脱離
-
25aYK-3 陽電子誘起イオン脱離検出器の開発
-
24pPSA-47 金属表面の水素分子吸着脱離過程におけるホットアトム機構の関与
-
22pZL-7 陽電子誘起イオン脱離を用いたNi表面の研究
-
24aPS-48 Ir(001)表面上への水素吸着(II)
-
24aYA-5 陽電子誘起イオン脱離によるNi表面の評価
-
28a-XJ-9 低速陽電子によるNi表面からの陽電子誘起イオン脱離
-
31p-S-11 低エネルギー反応性イオンのPt(111)での散乱
-
29a-PS-47 Ir(001)表面上への水素吸着(I)
-
30a-YC-9 Ni表面からの陽電子刺激イオン脱離
-
金属表面の光化学過程のダイナミックス--吸着分子の解離と脱離 (光化学の基礎と先端研究--気相・液相・表面の光化学から光合成や地球環境光化学まで) -- (表面・界面の光化学)
-
8p-H-4 Pt(111)からのNOのレーザー誘起脱離における中間励起状態での吸着分子の振動状態
-
5p-B-4 Ru(0001)表面上のα-アルミナ結晶成長
-
28pRE-11 Si(001)表面に成長したSiO_2単結晶クラスター(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
24aPS-113 Si(001)上に作製した単結晶SiO_2の構造(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
新結晶・新物質 金属単結晶上の高品質単結晶膜
-
19aTF-7 Ru(0001)上におけるα-Al_2O_3単結晶薄膜の電子物性の研究
-
30aXC-5 金属単結晶上の酸化物単結晶薄膜の背面ラウエパターンの観測の試み
-
固体物理学の周辺 金,銀,銅を比べてみると
-
30aYQ-7 α-Al_2O_3(9Å)/Ru(0001)上に作製したPt1原子層の物性
-
28pYQ-13 Si(001)上におけるSiO_2量子ドットの作製
-
24pPSA-26 超薄膜の金属・絶縁体転移
-
25pW-4 RAIRS investigation of CO adsorption on M-I-M system
-
2aW-4 Ru(0001)上におけるα-Al_2O_3単結晶薄膜のバンドギャップ測定 : 角度分解電子エネルギー損失による研究Part2
-
26pYA-6 6軸X線回折計による表面・界面構造の評価
-
26aPS-12 Ru(0001)上におけるα-Al_2O_3単結晶薄膜の角度分解エネルギー損失分光の測定
-
28p-S-4 STM/STS investigation of crystalline silicon oxide film on Ni(111)surface.
-
26p-YR-13 Ru(0001)を基板としたα-Al_2O_3単結晶膜のSTM/STS測定
-
26p-YR-12 高品質α-Al_2O_3単結晶薄膜の作成
-
6a-H-6 Pt(111)/Ge系のCO吸着 : 赤外吸収分光法による研究II
-
29a-PS-29 Geで修飾されたPt(111)面へのCO分子吸着 : 赤外吸収スペクトル
-
23pPSB-6 ルチル型TiO_2(110)面での水素吸着による電子状態の変化(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25aCC-5 ルチル型TiO_2(110)面での電気伝導における水素吸着効果(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
9aSM-2 X線回折法によるAl2O3/Ru(0001)の構造解析(表面界面構造・電子物性,領域9)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク