3B04 液晶セルにおけるしきい値電圧の局所的異常現象
スポンサーリンク
概要
著者
-
長谷川 誠
東工大資源研
-
庄原 潔
東芝・液晶開発センター
-
上埜 亜希子
東芝ディスプレイデバイス技術研究所
-
庄原 潔
東芝・電子技研
-
庄子 雅人
東芝・電子技研
-
村山 昭夫
東芝・電子技研
-
長谷川 誠
東芝・電子技研
-
上埜 亜希子
東芝・電子技研
-
庄子 雅人
東芝・ディスプレイデバイス技術研究所
関連論文
- 3PA03 非剛直性有機カチオン液晶の分子配向性と二次非線形光学特性
- 1PB04 液晶フォトニクス : 液晶性ポリシロキサンを用いた光誘起回折格子形成
- 3-2a 配向膜汚染による液晶セルの電気光学特性変化
- 3A04 凹凸を有する基板上のラビング配向膜の液晶配向性評価
- 3B01 配向膜汚染による液晶セルのしきい値異常現象と配向異常現象
- 3D18 ラビングされた垂直配向膜の液晶プレチルト方向
- 3F115 ST形LCDの階調表示
- 3B06 M-ST形LCDにおけるセル条件の最適化
- 3B03 ST LCDにおけるクロストークの定量評価
- 単純マトリクスLCDのクロストーク低減駆動法(ディスプレイJapan Display'92を中心として)
- 7)単純マトリクスLCDのクロストークむら低減のための新駆動法(情報ディスプレイ研究会)
- 単純マトリクスLCDのクロストーク表示むら低減のための新駆動法 : 情報ディスプレイ
- 2L312 高速応答RF-ST形LCDの最適化
- 3A18 側鎖型高分子液晶のメソゲン基の配向挙動と非線形光学特性
- 3B04 液晶セルにおけるしきい値電圧の局所的異常現象
- 2F108 フォトリソグラフィによって形成されたマイクログループによるネマチック液晶の配向
- 2L313 反射形白黒表示RF-ST LCDにおけるセル条件の最適化
- 5)白黒表示大容量ST型LCD(画像素示研究会)
- 3Z15 ST形LCDのセル条件と表示性能
- 白黒表示大容量ST形LCD
- 3G505 ST LCDの電気光学急峻性に対するセルギャップの影響
- 1G507 配向膜汚染による液晶セルのしきい値異常現象
- 4F314 強誘電性液晶ディスプレイの光学特性
- 4F115 高分子分散形LCDの電気光学特性
- 3K115 高精細強誘電性液晶ディスプレイの最適化
- 1K118 光学活性フェノキシプロピオン酸誘導体とこれを含む強誘電性液晶
- 3B02 VAN形マルチカラー液晶ディスプレイの最適化
- 3B01 VAN形カラービデオ液晶ディスプレイの最適化
- 2A18 光学位相差板を用いた強誘電性液晶ディスプレイ
- 1A13 新規なヘテロ環骨格をもつ強誘電性液晶 (2)
- 1A12 新規なヘテロ環骨格をもつ強誘電性液晶 (1)
- 4)ビデオレート大容量マルチカラー強誘電性LCD(画像表示研究会)
- 2B121 強誘電性液晶の自発分極と電気光学特性
- 3G506 高速応答ST LCDのコントラスト特性シミュレーション
- 3B04 アクティブマトリクス駆動VAN形LCDの電気光学特性
- 1Z03 ヘテロ環を含む多環系強誘電性液晶
- 2連F05 強誘電性液晶素子のマルチプレックス駆動特性
- 2N09 強誘電性液晶の配向制御
- 2N05 強誘電性液晶表示の電気光学特性
- 2L304 アクティブ駆動VAN形LCDの最適化
- 2B115 高速駆動マルチカラー強誘電性LCD
- 2B107 VAN形LCDの電気光学特性
- 1T04 ラビング法による高プレチルト液晶配向技術
- 反射型白黒表示M-ST LCD
- 3連F11 SBE形液晶表示素子の最適化検討