PbS先導電素子の基礎的研究
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概要
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Electrical Property of PbS photo conductive element prepared by chemical method are discussed with experimental result. The PbS film is made in various sizes by this method. Thermal characteristic of element gives 0.47eV (oxidation for 30minutes), 0.22eV (oxidation for 20minutes) and 0.19eV (oxidation for 5 minutes) as energy gap of PbS film. The energy gap values are barrier heights of PbS films. When these elements are excited with light puls, the decay time is between 30μsec and 70,μsec. This decay time is more shorter than CdS decay time. But illumination sensitivity is lower than CdS. As resistance of this element is very large, the time constant by light puls is less variable. The characteristic as semiconductor is p type. And structure of this film is the group of p-n junction.
- 宇部工業高等専門学校の論文
- 1970-07-25
著者
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