GaAsの1/fゆらぎ : 表面寄与の評価
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概要
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The effects of surface states on the noise performance of GaAs devices were investigated. It is shown that noise generated near the surface is dominant when the surface is exposed to the air. It is also shown that Hooge's parameter, which expresses the magnitude of the noise generation in a certain region, is about 0.002 in the middle of the active layer, and increases towards the buffer layer.
- 山梨大学の論文
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