希ガス固体におけるイオン衝撃脱離
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
28pWR-9 希ガス固体表面上から光励起脱離する水クラスタ : イオンの入射エネルギー依存性(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
-
20aPS-49 希ガス固体表面から電子遷移誘起脱離する水クラスターイオンの入射エネルギー依存性
-
水が吸着した希ガス固体表面から電子遷移誘起脱離する水クラスターイオンの観測
-
29aZE-10 水が吸着した希ガス固体表面上から電子・光励起脱離する水クラスターイオンの観測
-
21pTC-6 電子エネルギー損失分光法によるArクラスター表面励起状態の選択的観測(21pTC 融合セッション(原子分子・放射線)原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
21aTD-6 低速イオン衝撃による希ガス固体表面からの脱離過程の温度効果(21aTD 原子分子放射線融合,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
30aSL-2 ポテンシャルスパッタリングによる希ガス固体表面上からのイオン脱離(30aSL 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
ネオン固体表面上からイオン衝撃脱離するクラスターイオンの観測
-
24aRB-3 多価イオン入射による希ガス固体からのポテンシャルスパッタリング(原子分子・放射線融合(イオン-表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
24aRB-4 希ガス固体表面上からイオン衝撃脱離するクラスターイオンの観測(原子分子・放射線融合(イオン-表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
26aRA-11 電子エネルギー損失分光法を用いたArクラスターの電子的励起過程の実験的研究(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
22aRF-11 電子エネルギー損失分光法を用いた希ガスクラスターの電子的励起過程の研究(原子分子・放射線融合(電離放射線と物質との初期相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
21aRF-4 多価イオン-希ガス固体衝突における脱離2次粒子の観測(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
21aXH-6 低速多価イオン衝撃による希ガス固体表面からの2次粒子の観測(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
21aXH-10 同時計測法によるAr^(q=3〜6)電荷移行反応の研究(原子・分子,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
27aTB-11 合流ビーム法を用いた希ガスクラスターの電子的励起過程の実験的研究(27aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
30aTB-9 電子衝撃による希ガス固体からの脱離角度分布の固体温度依存性(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
30pTB-9 低速希ガス多価イオンの多重電荷移行反応(30pTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
30aPS-53 イオン衝撃による希ガス固体表面からの脱離粒子の観測(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21pYA-4 二電子移行分光法による分子解離過程の研究(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
20aYA-3 低速多価イオン衝撃によるNe固体のポテンシャルスパッタリング(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
14pTE-9 Ar 多価イオン衝突による N_2 分子の解離(原子・分子, 領域 1)
-
27aXN-7 合流ビーム法を用いた希ガスクラスターと電子の衝突実験(原子・分子)(領域1)
-
28aXD-1 多価イオン・希ガス固体表面衝突実験
-
19pWD-6 単結晶銀表面上のXe物理吸着層の成長過程
-
28aXE-13 二次元相転移に対する下地の影響 : Xe/Ag(111)とXe/Ag(100)
-
28aXE-12 Ag(100)上の二次元Xe結晶の方位
-
25pWB-2 Ag(111)とAg(100)上のXe物理吸着層の二次元相転移
-
Xe/Ag(111)の層成長における構造変化
-
単結晶Ag上のXe吸着層の層成長における構造変化
-
22pW-7 単結晶Ag上のXe吸着層の構造と成長
-
24aY-10 単結晶Ag上のXe吸着層の構造
-
24aY-9 単結晶Ag上のXe吸着層の成長過程
-
希ガス物理吸着層の層成長における構造相転移
-
希ガス固体表面における電子遷移誘起脱離
-
レーザープラズマ真空紫外光源による電子遷移誘起脱離実験
-
19pTF-1 電子・光励起によるアルゴン・クリプトン固体表面からの脱離現象の観察
-
28pTA-13 電子・光励起によるクリプトン固体表面からの全脱離収率の絶対測定
-
29pZF-7 希ガスクラスターにおける電子励起過程の実験的研究
-
ネオン固体からの電子遷移誘起全脱離収率の測定
-
レーザープラズマ真空紫外光源の製作
-
25aT-11 電子・光励起による希ガス固体からの全脱離収率の測定
-
金属単結晶表面上の物理吸着層研究のための試料冷却技術
-
電子・光子励起による希ガス固体表面からの粒子の脱離と発光
-
光励起によるネオン固体からの全脱離収率の測定
-
励起子生成によるNe固体表面からの脱離と発光
-
8p-H-5 励起子生成によるNe固体表面からの脱離と発光
-
25pB-6 希ガスクラスターにおけるFeshbach型共鳴状態の観察
-
極微少電流低速電子線回析法による希ガス物理吸着層の成長過程の観察
-
極微少電流低速電子線回析法による希ガス物理吸着層の成長過程の観察
-
8a-B-10 偏光解析法と低速電子線回折法による金属単結晶表面上の希ガス物理吸着層の観察
-
31a-K-4 金属単結晶表面上の希ガスの物理吸着の研究 : 偏光解析法を応用した層成長過程の研究
-
31p-J-5 希ガス混合固体よりの電子遷移誘起脱離
-
希ガス固体表面での電子遷移誘起脱離過程における残留ガス吸着の影響
-
8a-B-8 希ガス固体表面における電子遷移誘起脱離 : 不純物吸着の影響
-
希ガス固体からの電子遷移誘起脱離に対する不純物の影響
-
固体Ne表面からの準安定励起原子の光衝撃脱離における二次電子効果
-
希ガスクラスターを標的とした電子エネルギー損失分光実験
-
31p-PSB-69 希ガス固体からのイオンの電子遷移誘起脱離
-
31p-J-6 電子衝撃による希ガス固体表面からのイオンの電子遷移誘起脱離
-
水が吸着した希ガス固体表面から電子遷移誘起脱離する水クラスターイオンの観測
-
28aRA-13 多価イオンの持つポテンシャルエネルギーによる希ガス固体からの絶対脱離イオン収率の測定(28aRA 原子分子(理論・分光・表面),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
希ガス固体におけるイオン衝撃脱離(最近の研究から)
-
29pED-3 光電効果を利用した低エネルギー電子銃の開発(29pED 原子分子(電子・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
希ガス固体におけるイオン衝撃脱離
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク